08.09.2010
Новое семейство MOSFET производства Infineon с рекордно низким значением сопротивления канала во включенном состоянии - серия OptiMOS™-T2 40В

Современные автомобильные приложения требуют новых уровней мощности, экологической безопасности и к.п.д. двигателя. В то же время экологические нормативы ограничивают электромагнитные потери, особенно при электронном управлении системами автомобиля с использованием широтно-импульсной модуляции.

Для решения этих задач и предназначено новое поколение автомобильных MOSFET транзисторов, высококачественных, надежных, с высокой теплоотдачей. Новое семейство транзисторов OptiMOS™-T2 на 40В изготавливаются в бессвинцовых, прочных корпусах, с лучшим в своем классе сопротивлением во включенном состоянии RDS(on) и самым большим диапазоном токов для автомобильных двигателей и систем.

Основные характеристики OptiMOS™-T2 40В

• Самое низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 40В (0,98 мОм при 10В управляющего напряжения на затворе)
• Самая высокая допустимая нагрузка по току
• Самые низкие потери при переключении и статические потери при отличной теплоотдаче
• Высококачественные, надежные и прочные корпуса
• Соответствуют требованиям AEC (Automotive Electronics Council), как компоненты для автомобильного применения
• Максимальная рабочая температура + 175°C
• Максимальный ток стока I(d) до 180А (100А) в корпусе D2-PAK (DPAK)
• Оптимизированный полный заряд затвора для минимальной требуемой мощности драйвера

03.09.2010
Компания Infineon представляет силовые MOSFET транзисторы на 30В с предельно допустимым током 180А и минимальным сопротивлением во включенном состоянии (меньше 1мОм) для автомобильных применений

Компания Infineon анонсировала силовые MOSFET транзисторы на 30В с самым низким в мире сопротивлением во включенном состоянии для автомобильных применений. Новый OptiMOS™-T2 на 30В - N-канальный транзистор с током стока 180А имеет R DS(on) 0,9мОм при напряжении затвор-исток 10В. Транзистор IPB180N03S4L-H0 в корпусе D2PAK-7 рассчитан на потребителя, которому необходимы силовые MOSFET транзисторы в стандартном корпусе, обладающими как высокими номинальными токами, так и низким сопротивлением во включенном состоянии по доступной цене

Новый транзистор изготовлен по trench технологии компании Infineon для силовых MOSFET транзисторов OptiMOS-T2 - идеален для применения в автомобильных сильноточных приводах, электроусилителях руля (EPS) и особенно для старт/стоп режима.

По сравнению с предыдущими, trench-технология второго поколения силовых MOSFET транзисторов, OptiMOS-T2, позволяет уменьшить как сопротивление RDS(on), так и заряд затвора. В результате стало возможным получить минимальный коэффициент качества (Figure of Merit, FoM), который является произведением значений сопротивления RDS(on) и заряда затвора. Помимо этого, при сборке транзисторов в корпус применена улучшенная технология проволочных соединений для больших токов 'Powerbond', направленная на уменьшение 'вклада', вносимого сопротивлением проволочного соединения в RDS(on) MOSFET транзистора и увеличение допустимой нагрузки по току. Это также позволяет повысить надежность за счет того, что проводники меньше нагреваются. Современная технология Powerbond позволяет разместить до 4 пар проводников толщиной 500чм в одном MOSFET транзисторе, таким образом, можно использовать стандартный корпус при номинальном токе 180А

Технология OptiMOS-T2 и корпус рассчитаны на то, чтобы выдерживать температуру 260°C во время пайки оплавлением для уровня MSL1 (Moisture Level 1), при этом покрытие не содержит свинца, что соответствует RoHS. Силовой MOSFET транзистор IPB180N03S4L-H0 полностью отвечает требованиям Automotive Electronics Council (AEC-Q101).

IPB180N03S4L-H0 предназначен для применений с высокими токами (более 500А), где требуется использование большого количества параллельно соединенных MOSFET транзисторов. Так как IPB180N03S4L-H0 рассчитан на работу с номинальным током 180А, это позволяет в ряде приложений исключить параллельное соединение транзисторов.

Доступность

Транзистор IPB180N03S4L-H0 на 30В с током стока 180А и сопротивлением RDS(on) 0,9мОм запущен в массовое производство. Также компания Infineon предлагает модификацию на 30В и током стока 180А (IPB180N03S4L-01) с сопротивлением RDS(on) 1,05мОм при напряжении затвор-исток 10В для критичных по цене приложений. Оба транзистора доступны в стандартном корпусе D 2PAK-7

Подробнее

30.07.2010
Компания Infineon расширяет номенклатуру IGBT модулей семейства PrimePACK модулями на более высокие рабочие токи.

Выпущен лучший на сегодняшний день в данном классе модуль в корпусе PrimePACK3 с рабочим током 1400А (рабочее напряжение 1700В). В модуле используются IGBT кристаллы, изготовленные по технологии IGBT4 с увеличенной максимальной рабочей температурой перехода +150 C. Топология модуля - полумост с встроенным NTC терморезистором. Основные области применения силового модуля: 3-х уровневые инверторы, вспомогательные преобразователи, силовые приводы, ветроэнергетика.

Начало серийного производства 1 кв. 2011. Принимаются заявки на образцы.

Подробнее

21.07.2010
Компания Infineon расширяет производство кристаллов IGBT4 на 1700В в Малайзии.

Производство модулей остается исключительно в Европе (Германия и Венгрия).

Подробнее

16.07.2010
Компания Infineon опубликовала новый Selector Guide на дискретные IGBT.

16.07.2010
Обновлена параметрическая таблица по дискретным IGBT транзисторам.

14.07.2010
Компания Infineon расширяет линейку высоковольтных силовых транзисторов CoolMOS™ серией C6/E6 на 650В для обеспечения высокой эффективности и простого управления в коммутационных приложениях.

Компания Infineon Technologies выпустила новую серию силовых MOSFET транзисторов CoolMOS™ C6/E6 на 650В, сочетающих в себе преимущества современных транзисторов с суперпереходом (Super Junction), таких как, низкое сопротивление канала во включенном состоянии и малые потери при переключении, с простым управлением характеристиками переключения, при этом встроенный обратный диод обладает повышенной стойкостью к перегрузкам. Основанные на одной и той же технологии, транзисторы C6 оптимизировались с точки зрения простоты использования, тогда как транзисторы E6 разрабатывались для обеспечения максимальной эффективности.

CoolMOS™ C6/E6 - это шестое поколение силовых высоковольтных MOSFET транзисторов с суперпереходом от компании Infineon. Новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на 650В обладают быстродействующими управляемыми характеристиками переключения и дают возможность создавать приложения, в которых эффективность и плотность мощности имеют большое значение. Транзисторы серии CoolMOS™ C6/E6 - лучший выбор для различных коммутационных приложений с низким энергопотреблением, таких как, адаптеры для ноутбуков, солнечные и другие импульсные источники питания, где требуются дополнительные запасы по пробивному напряжению.

По сравнению с семейством CoolMOS™ C3 на 650В, новые транзисторы CoolMOS™ C6/E6 на то же напряжение обеспечивают на 20% меньшее накопление энергии в выходной емкости (Eoss), при этом улучшенный встроенный диод этих транзисторов обладает большей стойкостью к перегрузкам при жестких коммутациях и уменьшенным на 25% зарядом обратного восстановления. Режимы переключения транзисторов C6/E6 обеспечивают оптимальные скорости нарастания тока и напряжения, благодаря сбалансированной структуре с настраиваемыми резисторами затвора.

Доступность

Образцы IPA65R280C6 / IPA65R280E6 (280мОм в корпусе TO220 FullPAK) и IPA65R380C6 / IPA65R380E6 (380 мОм в корпусе TO220 FullPAK) доступны уже сейчас. Серийное производство этих транзисторов начнется в июле 2010 года. Линейка будет постепенно расширяться, ожидаемый срок окончания комплектации - конец 2010 года.

Дополнительная информация:

www.infineon.com/power
www.infineon.com/c6e6

09.07.2010
Копания Infineon объявила о прекращении производства IGBT модулей: FF100R12MT4, FF150R12MT4, FF200R06ME3, FF300R06ME3, FF400R06ME3.
В качестве замены предлагаются модули на более высокие рабочие токи.
Значения токов новых модулей увеличены на 50 - 200А в зависимости от типа.
Последний срок заказа 31.12.2010

Подробнее

06.07.2010
Компания Infineon расширяет пределы по частоте и эффективности с 3 поколением IGBT транзисторов High Speed.

Компания Infineon Technologies представляет семейство IGBT модулей High Speed 3 (3е поколение), предназначенных для работы в приложениях с большой частой и жестким режимом переключениями. У транзисторов этого семейства минимальные потери при переключении, лучшая в своем классе эффективность, при этом они рассчитаны на работу при частоте до 100кГц.

За последние несколько лет требования приложений к дискретным IGBT, заставили разработчиков улучшать характеристики транзисторов, чтобы добиться максимальной производительности системы. Новое семейство High Speed 3 на 600 и 1200В дает возможность разработчикам высокочастотных устройств, таких как электросварочные машины, инверторы для фотоэлектрических систем, импульсные и бесперебойные источники питания, добиться лучшей производительности системы.

Новое семейство IGBT модулей High Speed 3 оптимизировано для приложений с частотой переключений до 100кГц. Полные потери при выключении снижены на 35% по сравнению с предыдущими версиями. Такое существенное сокращение было достигнуто за счет уменьшения 'хвоста' тока при выключении на 75% , что уже приближается к параметрам MOSFET транзистора.

Так как значение V ce(sat) (напряжение насыщения во включенном состоянии) также оказывает значительное влияние на полные потери, то необходимо достичь баланса между потерями при переключении и потерями за счёт проводимости. У транзисторов семейства High Speed 3 не только очень низкие потери при переключении, но также низкие потери продимости, благодаря технологии Trenchstop™, со свойственным ей малым значением V ce(sat).

Характеристики встроенного обратного диода оптимизированы: размер выбран с учетом работы с высокой частотой переключения, при этом обеспечивается мягкая характеристика переключения, что снижает излучаемые электромагнитные помехи.

Доступность

Транзисторы нового семейства High Speed 3, соответствующие требованиям RoHS, доступны на токи 20 - 50А при 600В и 15 - 40А при 1200В.

Дополнительная информация

Дополнительная информация по IGBT транзисторам доступна на сайте: www.infineon.com/igbt

02.07.2010
В связи с заменой снимаются с производства следующие IGBT модули 12 и 17 классов в корпусе 62 мм:

BSM100GB170DL, BSM150GB170DL, BSM200GB170DL, BSM300GA170DL, BSM400GA170DL, BSM100GB120DN2F, BSM150GB120DN2F, BSM200GA120DN2F, BSM400GA120DN2F, BSM200GA120DN2FS, BSM300GA120DN2FS, BSM400GA120DN2FS, BSM300GA170DLS, BSM400GA170DLS, BSM200GA120DN2C, BSM400GA120DN2C, BSM200GA120DN2S, BSM300GA120DN2S, BSM400GA120DN2S, BSM200GA170DN2S, BSM300GA170DN2S.

Последний срок размещения заказа 01.01 2011

Подробнее

02.07.2010
Новые IGBT модули Infineon серии PrimePACK™ 3 и EconoDUAL™ 3 с повышенной плотностью мощности.

Компания Infineon Technologies выпустила новые высоконадежные IGBT модули с повышенной плотностью мощности: модуль PrimePACK™ с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3, а так же новый представитель семейства EconoDUAL™, модуль EconoDUAL 3 с током 600A и при 1200В.

Новый модуль FF1400R17IP4 с номинальным током коллектора 1400A и напряжением 1700В в корпусе PrimePACK 3 существенно расширил линейку модулей PrimePACK. Области применения: возобновляемые источники энергии, транспорт, CAV (коммерческий, сельскохозяйственный и строительный транспорт) и силовые промышленные приводы. Новый IGBT модуль отвечает стремительно растущим требованиям рынка в отношении большой мощности, компактных размеров и высокой надежности. Размеры PrimePACK 3: 89мм*250мм. Новый модуль, как и все семейство, отличают оптимизированная топология кристалла и продуманный дизайн модуля. Инновационная концепция корпусирования позволила улучшить распределение и рассеивание тепла, уменьшить тепловое сопротивление между базовой платой и теплоотводом, а так же свести к минимуму внутреннюю паразитную индуктивность.

Новый модуль FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 на сегодняшний день - самый эффективный в популярном семействе EconoDUAL, с номинальным током коллектора 600A и напряжением 1200В. Области применения: частотные преобразователи в автоматических системах приводов, центральные инверторы в системах солнечной энергетики, дизель-генераторные приводы двигателей (CAV). За счет оптимизации конструкции с точки зрения технологии коммутации и теплового сопротивления, стало возможным применять модули при больших токах, что повышает их эффективность. При использовании модуля FF600R12ME4 увеличивается диапазон мощности на 30% при тех же размерах корпуса. В дополнение к стандартной версии с выводами под пайку, в семействе EconoDUAL 3 появилась версия с выводами под запрессовку типа PressFIT.

Доступность

Образцы IGBT модуля FF1400R17IP4 семейства PrimePACK 3 будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в 4 квартале 2010 года.

Образцы модуля FF600R12ME4 в корпусе EconoDUAL 3 так же будут доступны в 3 квартале 2010 года. Производство начнется в сентябре 2010 года.

Дополнительная информация

Дополнительная информация о модуле PrimePACK 3 и семействе продуктов PrimePACK: www.infineon.com/primepack.

Дополнительная информация о модуле EconoDUAL3 и семействе продуктов EconoDUAL: www.infineon.com/dual3.

29.06.2010
Обновлен раздел "Дискретные IGBT": добавлена информация по дискретным транзисторам и транзисторам с антипараллельным диодом семейства HighSpeed3 на 600В.

29.06.2010
Компания Infineon объявила о прекращении выпуска ряда дисковых тиристоров и диодов в эпоксидных (черных) корпусах. Для некоторых из них предусмотрена замена в керамическом (белом) корпусе.

Подробнее:

• Тиристоры и диоды d=41мм
• Тиристоры и диоды d=50мм
• Тиристоры и диоды d=60мм

07.06.2010
Новая технология .XT компании Infineon значительно увеличивает срок службы IGBT модулей и дает перспективу повысить максимальную температуру p-n перехода до 200°C

Компания Infineon Technologies представила улучшенную технологию корпусирования кристалла и внутренней разводки IGBT модулей, которая значительно повышает их срок службы. Новая технология .XT оптимизирует все внутренние взаимосвязи в IGBT модуле, влияющие на срок службы. С помощью новой технологии компания Infineon смогла выполнить требования новых приложений в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам большой мощности, а так же повысить плотность мощности и максимальную рабочую температуру p-n перехода.

Новая технология .XT увеличивает срок службы IGBT модулей в 10 раз по сравнению с существующими технологиями. С другой стороны при том же сроке службы выходная мощность модуля может быть повышена на 25%. Новая технология поддерживает максимальную температуру p-n перехода полупроводникового кристалла до 200°C.

Известно, что циклические нагрузки приводят к изменениям температуры и механическим воздействиям на внутреннюю разводку IGBT модуля. Разные коэффициенты температурного расширения разных проводящих слоев вызывают механические напряжения, что может привести к усталости материала и его износу. Новая технология .XT охватывает три критические области, ответственные за устойчивость IGBT модуля к циклическим нагрузкам: проволочный монтаж на лицевой стороне кристалла, пайку обратной стороны кристалла к DCB (Direct Copper Bond) промежуточной подложке и пайку DCB подложки к основанию модуля.

• Лицевая сторона кристалла. Медный слой на лицевой стороне кристалла позволяет использовать медные проводники, обладающие лучшими характеристиками в отношении устойчивости к циклическим нагрузкам, по сравнению с алюминиевыми проводниками.
• Обратная сторона кристалла. Новый способ диффузионной пайки повышает теплопроводность и стабильность соединения (кристалла и DCB подложки) даже при скачках температуры во время работы.
• DCB подложка и базовая плата. Базовая плата играет ключевую роль в терморегулировании во многих приложениях. Высоконадежный метод пайки снижает износ паяного соединения.

Доступность

Первый доступный модуль с использованием новой технологии .XT - FF900R12IP4LD в конструктивном исполнении PrimePACK 2. Это модуль с топологией 'полумост', обеспечивающий ток 900A rms, на базе кристаллов IGBT4 с максимальной рабочей температурой Tj max 150°C.

Подробнее

05.03.2010
Новые МОП транзисторы серии OptiMOS? на 25В для DC/DC источников питания материнских плат серверов и телекоммуникационных приложений.

Компания Infineon Technologies представила семейство транзисторов OptiMOS? на 25В, предназначенных для регулирования напряжения в блоках питания серверов и телекоммуникационных коммутаторов. Новые транзисторы также устанавливаются в силовые драйверы TDA21220 семейства DrMOS, соответствующие спецификации Intel DrMOS.

Новые транзисторы позволяют снизить потери мощности источников питания почти на 20% и обеспечивают оптимальную эффективность при любых нагрузках. Так же большая плотность рассеиваемой мощности позволяет уменьшить плату для понижающего трансформатора больше, чем на 40% в стандартном блоке питания.

Например, в 6ти фазном регуляторе напряжения, новые транзисторы обеспечивают максимальную эффективность - 93% и более чем 90% эффективность по выходным токам в диапазоне от 30А до 180А при использовании драйвера на 5В. Малое сопротивление во включенном состоянии, низкий заряд затвора и малая выходная емкость позволили достичь подобной эффективности.

Согласно данным фирм по исследованию рынка, в 2011 году в мире будет насчитываться до 60 миллионов серверов. Сервер потребляет в среднем 600 Вт, что соответствует 36 ГВт. Снижение потребления даже на 1% ( 360МВт), сравнимо с мощностью гидроэлектростанции. Также более эффективные источники питания сокращают потребности в охлаждении, снижают потребление электроэнергии.

Компания Infineon Technologies предлагает новые транзисторы OptiMOS на 25В в трех типах корпусов: SuperSO8, CanPAK и S3O8. Новое устройство семейства DrMOS - TDA21220 - многокристальная микросхема, содержащая в корпусе размером 6х6 мм 2 новых силовых транзистора OptiMOS и кристалл драйвера.

Транзисторы OptiMOS 25В по соответствующим показателям качества превосходят транзисторы Trench-технологии с малым сопротивлением во включенном состоянии и латеральные (с горизонтальной структурой) МОП транзисторы с ультра низким зарядом затвора. При том же сопротивлении во включенном состоянии у транзисторов OptiMOS 25В на 35% ниже заряд затвора по сравнению с транзисторами Trench-технологии и на 50% ниже заряд затвор-сток по сравнению с лучшими латеральными МОП транзисторами.

Доступность и цены

Доступны опытные образцы транзисторов OptiMOS 25В и TDA21220 DrMOS.

Во втором квартале этого года компания Infineon так же планирует выпустить транзисторы OptiMOS на 30В. В сочетании с цифровыми контроллерами DC/DC и другими устройствами управления питанием компании Infineon, эта линейка транзисторов идеально подойдет для блоков питания ноутбуков. Они так же соответствуют требованиям, как системных блоков, так и требованиям Intel по эффективности и производительности.

Подробнее OptiMOS 25В
Подробнее PB-TDA21211

10.02.2010
Обновлен раздел "Силовые полупроводники": добавлена информация по кристаллам IGBT и дискретным IGBT

20.01.2010
IGBT RC-Drives - новое семейство 600В IGBT транзисторов Infineon для электроприводов бытовой техники.

Компания Infineon представила семейство IGBT транзисторов для электроприводов бытовой техники. Новые оптимизированные по цене IGBT транзисторы на 600В позволяют сделать экономически выгодным применение электроприводов с регулируемой скоростью вращения, что уменьшит энергопотребление до 30%.

Новое семейство IGBT транзисторов, изготовленные по технологии TRENCHSTOP? с обратным диодом в одном кристалле, являются развитием семейства транзисторов RC-H, предназначенных для систем индукционного нагрева.

В результате удалось создать IGBT транзиcтор для работы в режимах жесткого переключения (индуктивная нагрузка ) с низкими потерями проводимости, с уменьшенной площадью кристалла. Это, в свою очередь, позволяет сократить площадь печатной платы и размеры радиатора и уменьшить на 10% стоимость всей системы.

Доступны Транзисторы на 4А, 6А, 10А и 15А в двух типах корпусов: DPAK (TO-252) и IPAK (TO-251) с размерами 2,30мм x 6,50мм x 7,22мм. Это позволяет разрабатывать недорогие приводы мощностью от 30Вт до 2кВт. За счет оптимизации платы на транзисторе 15А, производитель может сократить площадь, занимаемую транзисторами до 50%.

Низкое напряжение насыщения новых транзисторов идеально для рабочих частот бытовых приводов(4 - 15кГц), при которых доминируют потери проводимости. Это предотвращает перегрев даже при работе сильноточных приборов с полной нагрузкой. Низкий уровень электромагнитных помех достигается благодаря технологии TRENCHSTOP? IGBT.

Подробнее

19.01.2010
Компания Infineon расширяет линейку силовых МОП-транзисторов OptiMOS?: 200В и 250В

Компания Infineon представляет новое семейство силовых МОП-транзисторов OptiMOS? на 200В и 250В, предназначеных для синхронного выпрямления в системах с напряжением питания 48В, например, для использования в DC-DC конверторах, в источниках бесперебойного питания (ИБП) и инверторах для двигателей постоянного тока.

У разработчиков, проектирующих блоки питания на 48В с диодным выпрямительным звеном во вторичных источниках энергии, появилась альтернатива, обладающая большей эффективностью и меньшими потерями энергии.

Характерная черта семейства транзисторов OptiMOS на 200В и 250В - сопротивление во включенном состоянии на 50% ниже, чем у аналогов, что обеспечивает минимальные потери мощности при больших рабочих токах. Самый низкий заряд затвора - на 35% ниже, чем у аналогов - способствует уменьшению потерь и быстрому переключению в импульсных устройствах таких, как изолированные DC-DC конверторы. Применение новых транзисторов дает возможность снизить стоимость за счет сокращения числа параллельно включенных устройств и использовать меньшие радиаторы, благодаря небольшому сопротивлению.

Отличные характеристики семейства OptiMOS 200В и 250В позволяют использовать тонкий корпус SuperSO8 (5мм*6мм*1мм) в тех устройствах, где раньше требовались крупные устройства D²PAK (9мм*10мм*4,5мм). Корпус SuperSO8 позволяет уменьшить на 90% площадь, необходимую для полупроводникового элемента, и создавать более мощные устройства.

Доступны компоненты семейства OptiMOS 200В и 250В: в корпусах TO-220, TO-262, D²PAK и SuperSO8 с сопротивлениями R _DS(on) 10,7мОм, 20 мОм, 32 мОм и 60 мОм.

Подробнее

10.12.2009
Опубликована в русском переводе статья Infineon "Тиристоры с оптическим управлением для импульсной энергетики".

Печатная версия в журнале 'Силовая Электроника' N5 2009 (www.power-e.ru)

26.11.2009
Опубликована в русском переводе статья Infineon "Работа IGBT-транзисторов типа Trench/Field-Stop в условиях действия повторяющегося тока короткого замыкания"

05.10.2009
Infineon представляет завершенное семейство IGBT-модулей PrimePACK? на класс напряжений 1200В/1700В для общепромышленных и тяговых электроприводов

Infineon сообщил о запуске серийного производства всего семейства IGBT-модулей PrimePACK? на напряжения 1200 и 1700 Вольт, в конфигурациях полумост и чоппер, с интегрированным терморезистором с отрицательным температурным коэффициентом сопротивления (NTC). Модули, выполненные по технологии TRENCHSTOP?, доступны в двух оптимизированных версиях:

• Большой мощности, с технологией IGBT4, маркируются P4
• Средней мощности, с технологией IGBT4, маркируются E4

Версия P4 ориентирована на приложения со стандартными условиями работы и управления.

Версия E4 отличается малыми коммутационными потерями и идеально подходит для высокочастотных приложений с малыми паразитными индуктивностями схемы инвертора и с использованием более быстродействующего драйвера.

Все IGBT-модули семейства PrimePACK? имеют медное основание и устанавливают на рынке новые стандарты срока службы.

Номенклатура устройств

• Приставка D в маркировке обозначает усиленный обратный диод
• Приставка B2 в маркировке обозначает версию модуля для тяговых приводов с увеличенным количеством термических циклов
• Модуль FF600R12IS4F имеет встроенный диод на основе карбида кремния (SIC-диод) и кристалл IGBT, выполненный по технологии IGBT2 Fast

Отличительные особенности семейства PrimePACK?:

• Технология TRENCHSTOP? IGBT4 с рабочей температурой перехода 150°C
• В два раза больше рабочих циклов у модулей высокой мощности, даже при температуре перехода 150°C
• В пять раз больше термических циклов у модулей для общепромышленных применений
• В десять раз больше термических циклов у модулей для тяговых применений
• Ультразвуковая разварка выводов обеспечивает непревзойденную механическую прочность и увеличивает срок службы
• Срок службы тяговых модулей с медным основаниям отвечает требованиям для применения на транспорте. Усиленный диод с низким температурным коэффициентом сопротивления оптимизирован для работы с положительной обратной связью по температуре.
• Модули с топологией чоппер доступны на напряжения 1200 и 1700 Вольт
• Модули с топологией полумост мощностью 600А/1200В доступны с интегрированным SIC-диодом
• Все устройства выпускаются в бессвинцовом исполнении и соответствуют требованиям RoHS

Основные области применения:

• Ветряные электростанции
• Инверторы солнечных батарей
• Транспорт
• Общепромышленные электроприводы
• Подъемники
• Индукционный нагрев
• Вспомогательные приводы

IGBT-модули семейства PrimePACK?

13.05.2009
Новые интеллектуальные IGBT модули Infineon серии SmartPIM и SmartPACK

На проходящей в Нюренберге, Германия выставке PCIM 2009 Инфинеон представил новое семейство интеллектуальных силовых IGBT модулей SmartPIM и SmartPACK. В основе новых модулей лежит новый конструктив, обеспечивающий сборку всех компонентов модуля без использования пайки. Как видно из рисунка, интеллектуальный модуль состоит из трех основных компонентов: радиатора, собственно IGBT модуля и печатной платы с драйверами. Четвертый элемент, показанный на рисунке, это прижим, обеспечивающий соединение компонентов в единый модуль с помощью одного винта. Главным элементом этого модуля, позволившим получить такой быстрый и соответственно недорогой способ сборки, является IGBT модуль с выводами типа PressFIT. Выводы PressFIT запатентованные Инфинеон выводы для силовых модулей, представляющие собой расщепленный пружинный контакт, который вставляется в металлизированное отверстие печатной платы и обеспечивает высоконадежное соединение без использования пайки.

Первые представители семейства интеллектуальных модулей SmartPACK1 и SmartPIM1 и имеют топологию трехфазный мост и трехфазный мост с выпрямителем и чоппером, соответственно, и позволяют реализовать инверторы с мощностью от 2,2 до 11 кВТ.

Дальнейшее развитие семейства - SmartPIM2, SmartPACK2, SmartPIM3 и SmartPACK3 доведет эту мощность до 55 кВ при рабочих токах до 200А.

Образцы доступны для заказа в 3 квартале 2009 года. Начало серийного производства 4 квартал 2009 года.

04.05.2009
BCR450 - новая микросхема драйвера светодиодов с защитой от перегрева и повышенной точностью поддержания выходного тока

Infineon Technologies выпустила микросхему драйвера для рынка световой светодиодной аппаратуры. Эта недорогая микросхема BCR450 в комбинации с внешним транзистором предназначена для управления светодиодами большой мощности диапазона 0,5-3 Ватт. Отличительными особенностями этого драйвера являются встроенная защита от перегрева, повышенного напряжения и перегрузки по току и улучшенная стабильность выходного тока.

Области применения новой микросхемы светодиодные источники освещения для автомобильного транспорта, судов, железнодорожного транспорта, авиации, медицинской аппаратуры, а также освещение архитектурных объектов, рекламных конструкций, аварийного освещения. Микросхема выпускается в миниатюрном 6-выводном корпусе SC74. Схема включения драйвера не содержит индуктивностей и, что особенно важно, электролитических конденсаторов, что значительно увеличивает срок службы световой аппаратуры. Микросхема обеспечивает поддержание тока светодиодной нагрузки не хуже +/-10% в диапазоне рабочих температур.

Подробнее здесь (pdf)

25.03.2009
SmartLEWIS MCU. PMA71xx- Новое семейство многодиапазонных UHF - передатчиков Инфинеон со встроенным микроконтроллером.

Infineon Technologies выпустил набор микросхем в которых на одном кристалле размещены ASK/FSK передатчик диапазонов 315/434/868/915 МГц с мощностью до 10дБм и 8051 микроконтроллер с расширенной периферией и встроенной программной флэш-памятью объемом 6 кбайт. Имеется встроенный 10-разрядный АЦП для подключения разнообразных аналоговых датчиков (до10 каналов). Наличие встроенного приемника на частоту 125 кГц позволяет реализовать функцию дистанционного включения передатчика в соответствующих приложениях с питанием от автономных источников с продолжительным временем работы или в даже в бесконтактных приложениях. Имеется обширная прикладная библиотека программ, позволяющая значительно ускорить разработку. В частности в библиотеке реализованы такие функции как AES-шифрование и эмуляция EEPROM. Доступны средства разработки: PMA71xx/51xx USB-RF-Kit!

На кристалле размещен также датчик температуры и схема контроля напряжения питания. Основные области применения интеллектуальных передатчиков это дистанционное управление, "умный дом", системы охраны, сбор данных, беспроводные датчики, RFID метки и т.п. Модификации микросхем семейства отличаются отсутствием или наличием АЦП, приемника 125 кГц, а также диапазоном рабочих температур либо -40 С ... +80 С либо -40 С ... +125 С. блок схема передатчика приведена на рисунке.

Подробнее в даташите

Заказ образцов и средств разработки

18.02.2009
Диоды Шоттки на карбиде кремния от Infineon Technologies. Третье поколение SiC диодов для систем управления приводами и преобразователями возобновляемых источников энергии.

На прошедшей в середине февраля в Вашингтоне выставке APEC Инфинеон представил новое поколение диодов Шоттки своей известной линейки thinQ на базе карбида кремния.

Главные области применения таких диодов это активные корректоры коэффициента мощности (CCM PFC) в составе ключевых источников питания и других AC/DC и DC/DC преобразователей, таких, как инверторы для солнечных источников энергии и драйверы силовых приводов.

Новое поколение диодов в отличие от предыдущего имеет на 40% меньшую емкость, что снижает потери переключения и позволяет работать на более высоких частотах, что в свою очередь снижает номиналы фильтрующих емкостей и индуктивностей, размеры радиаторов и, в конечном счете, стоимость изделия. Расширен также диапазон рабочего напряжения до 1200В.

Диоды 3-го поколения выпускаются на рабочие напряжения 600В (3, 4, 5, 6, 8, 9,10 и 12А) в корпусах TO-220 и DPAK, а также на 1200В (2, 5, 8, 10, и 15А) в корпусе TO-220

Доступны для заказа образцы. Начало серийного производства запланировано на апрель 2009. Цена, например, для диода 3А, 600В составит ~ 0,85 евро/шт при объемах 10к штук.

Подробнее здесь.

26.12.2008
Новый мощный транзистор Infineon Technolgies серии LDMOS , 240Вт, диапазон частот 1450-1500 МГц.

Инфинеон анонсировал новый мощный радиочастотный транзистор широко известной серии LDMOS. Транзисторы выпускаются в двух модификациях, отличающихся корпусом: PTFA142401ELV4 и PTFA142401FLV4. Транзисторы предназначены для использования в составе передатчиков систем цифрового телевизионного вещания стандартов DAB и DVB , а также в усилителях мощности сотовых базовых станций диапазона 1450-1500 МГц (WiFi). Основные характеристики транзистора: рабочая частота 1450-1500 МГц, выходная мощность 240Вт (на уровне -1дБ), коэффициент усиления 16 дБ, напряжение питания 28 В.Отличительными особенностями новых транзисторов являются наибольшая среди конкурентов (Freescale, NXP) пиковая мощность, более компактный корпус, повышенная надежность (благодаря тонкослойному золотому покрытию и меньшему тепловому сопротивлению корпуса). Доступны инженерные образцы и референс-плата.

Подробнее здесь.

20.11.2008
Новая микросхема интеллектуального контроллера электронного балласта для люминесцентных ламп ICB2FL01G.

Инфинеон анонсировал микросхему контроллера лампового балласта нового поколения.

Микросхема ICB2FL01G содержит корректор коэффициента мощности, контроллер управления лампой, высоковольтный драйвер. Типовые области применения новой микросхемы - электронные балласты для компактных люминесцентных ламп, линейных люминесцентных ламп Т5, Т8, регулируемых люминесцентных ламп и ламп аварийного освещения. Использование данной микросхемы позволяет сократить количество внешних компонентов (резисторы, конденсаторы, диоды), в зависимости от приложения, до 20 штук. Более того, параметры балласта на этой микросхеме регулируются посредством резисторов, а не конденсаторов, как в имеющихся решениях. Применение резисторов вместо конденсаторов позволяет получить лучшую долговременную стабильность параметров и надежность электронного балласта. Добавление нескольких дополнительных внешних компонентов позволяет использовать ICB2FL01G для работы в "мультиламповых" применениях (до 4-х ламп) или для управления несколькими лампами разной мощности. Отличительной характеристикой микросхемы второго поколения является наличие встроенных режимов тестирования (диагностики), например контроля окончания срока службы лампы, контроля режимом разогрева лампы. Использование этих встроенных возможностей позволяет сократить себестоимость производства электронных балластов за счет сокращения затрат на операции их тестирования.

Еще одной ключевой характеристикой ICB2FL01G является возможность программной регулировки времени разогрева лампы в широких пределах от 0 до 2500 мс, что позволяет использовать их с широким спектром ламп, а также обеспечивает точную настройку этого параметра в диапазоне температур от -25 °C до +125 °C.

Доступны для заказа образцы ICB2FL01G в корпусе DSO , документация и демоплата см. рис. Серийное производство запланировано на январь 2009.

Более подробная информация здесь.

01.11.2008
Обновлено содержание страницы "О корпорации Инфинеон".
Добавлен раздел "Сертификаты".

19.09.2008
MIPAQ - Новое семейство IGBT модулей средней мощности с встроенным драйвером.

Infineon Technologies анонсировала новое семейство IGBT модулей на основе кристаллов IGBT4. Модули, функционально представляющие собой трехфазный мост из 6 IGBT транзисторов на 1200В отличаются повышенной степенью интеграции. Название семейства MIPAQ происходит из сокращения англоязычного Modules Integrating Power, Application and Quality. Основные области применения новых модулей это источники бесперебойного питания, промышленные приводы, такие как компрессоры, насосы вентиляторы; а также источники солнечной энергии, системы кондиционирования.

В семейство входит три типа модулей, имеющие в основе своей трехфазный IGBT мост и отличающиеся дополнительно встроенной электроникой: MIPAQ base, MIPAQ sense, MIPAQ serve.

"MIPAQ base" помимо моста, дополнительно содержит 3 высокоточных измерительных шунта. Выполнен в корпусе EconoPACK3 толщиной 17 мм. Рабочее напряжение модуля 1200В, рабочие токи 75,100 и 150А.

"MIPAQ sense" в дополнение к 3-м встроенным шунтам содержит термочувствительный NTC резистор, и электронику измерения токов, на основе метода сигма-дельта преобразования. Выходы цифровых сигналов тока имеют гальваническую изоляцию от силовых цепей. Корпус такой же, как и у " MIPAQ base". Рабочие токи 75,100 и 150А.

"MIPAQ serve" - это наиболее функционально полный модуль - в состав его включен еще и драйвер управления IGBT транзисторами а также схемы измерения температуры модуля. Это конструктивно законченный модуль, с драйвером, размещенным поверх IGBT транзисторов, с гальванической изоляцией цифровых выходов. Рабочие напряжения 600 и 1200В, рабочие токи 75,100, 150 и 200А. Модули работают на частотах до 16 кГц.

18.08.2008
Обновлен раздел "Статьи". Добавлены две статьи "Силовые IGBT-модули Infineon Technologies", "VINETIC - улучшенное семейство кодеков Infineon Technologies для доступа к телефонным линиям в VoIP, TDM и VoATM приложениях".

21.07.2008

Рис.1 Улучшение качества IPTV c применением Packet Processing Engine

16.07.08 Infineon Technologies пополнила портфель предлагаемых ADSL2+ и VDSL2 решений для пользовательской IPTV аппаратуры (СРЕ), в частности на базе микросхем Amazon-SE и Danube (и будущих разработок). Предложен новый механизм (Packet Processing Engine) для IPTV over DSL, дающий возможность обработки пакетов данных с использованием алгоритмов декодирования с предсказанием ошибок (Erasure Decoding) и метода повторной передачи (Gamma Layer Retransmission).

Erasure Decoding повышает защищенность от импульсного шума без изменения требований к характеристикам несущей DSLAM и позволяет с использованием предлагаемой технологии до 2-х раз повысить степень защиты от ошибок. Предлагаемый механизм Gamma Layer Retransmission использует специальный (intelligent) алгоритм формирования и распознавания (discrimination) трафика с использованием аппаратуры CO.

Инфинеон проводит также большой объем работ по проверке совместимости новых решений с действующим стандартным оборудованием, как в своей лаборатории, так и с использованием независимых испытательных лабораторий. В частности недавно KTL Laboratories подтвердила соответствие оборудования на базе чипсета Amazon-SE требованиям Broadband Forum's TR-067 и TR-100.

По данным iSuppli Infineon Technologies продала с 2003 на мировом рынке xDSL CPE оборудования порядка 110 млн единиц, что составляет около 30% объема мировых продаж.

15.07.2008
BGA728L7 новый малошумящий широкополосный усилитель с минимальным напряжением питания 1,8 В от Infineon Technologies для портативных телевизионных приемников и мобильного TV.

Инфинеон анонсировал новую микросхему малошумящего широкополосного усилителя на телевизионные диапазоны частот. Это первая микросхема подобного назначения в отрасли, имеющая номинальные напряжения питания 1,8 В-2,8 В - 3,3 В. Усилитель работает в VHFIII, UHF and L частотных диапазонах и является одной из немногих аналогичных микросхем с переключаемым коэффициентом усиления (режим работы с высоким и низким усилением). В режиме с высоким усилением микросхема позволяет повысить чувствительность TV приема, обеспечивая при этом коэффициент шума 1,4 дБ при коэффициенте усиления 16 дБ. Для сигналов высокого уровня BGA728L7 может быть переключена на режим с малым усилением, обеспечивающий более (на 20дБ) высокую линейность и пониженный ток потребления 0,5 мА.

Мобильное телевидение одно из ключевых направлений развития коммуникационной аппаратуры новых поколений, таких как сотовые телефоны, медиа-плееры и другие портативные устройства включая ноутбуки. Согласно последним исследованиям рынка, проведенным английской компанией Datamonitor, мобильное телевидение в ближайшие годы ожидает бурное развитие. Прогнозируется рост числа подписчиков с 4,4 млн. в 2007 году до 155 миллионов к 2012 году. Наибольшее распространение мобильного TV ожидается на азиатско-тихоокеанском рынке. В настоящий момент в Японии более 50% выпускаемых моделей мобильных телефонов имеют возможность приема телевидения.

Главные особенности работы мобильных TV приемников - это обеспечение широкого динамического диапазона, и высокой чувствительности, позволяющей вести прием сигнала внутри помещений, в туннелях, а также удовлетворение строгим требованиям MBRAI (MultiBasic Rate Interface) интерфейса. BGA728L7 поддерживает различные стандарты цифрового телевидения, такие как DVB-T, DVB-H, ISDB-T, MediaFLO, T-DMB. а также китайские стандарты.

Краткие технические характеристики BGA728L7:

• Диапазон питающих напряжений - от 1,5 В до 3,6 В
• Ток потребления в режиме высокого усиления - 5 мА
• Коэффициент шума менее 1,4 дБ при усилении 16 дБ
• Интермодуляционные искажения: Точка перехвата по входу третьего порядка (input IP3) составляет +16 дБ в режиме низкого усиления и токе потребления 0,5 мА
• Вход усилителя имеет встроенную защиту от статического электричества до 1кВ
• Технология изготовления SiGe биполярная с встроенными цепями смещения, обратной связи и согласования импедансов.
• необходимые внешние пассивные компоненты - 5 -10 шт
• корпус TSLP7-1 размером 2х1,3х0,4 мм (без содержания свинца)

26.06.2008
VINETIC-SVIP новая микросхема VoIP кодека Инфинеон для аппаратуры VoIP доступа.

Фирма Infineon Technologies объявила о пополнении семейства микросхем VINETIC, предназначенного для построения VoIP аппаратуры доступа. Новая микросхема, названная VINETIC-SVIP, обладает наивысшей в отрасли степенью интеграции и представляет собой решение вида "система на кристалле" (SoC).

VINETIC-SVIP входит в набор из двух микросхем - собственно VINETIC-SVIP (микросхема PEF 33616E) и микросхемы двухканального SLIC, названную Smart SLIC-R.

Функционально VINETIC-SVIP включает в себя 16 голосовых кодеков, 32 VoIP канала, контроллер линейных карт и гигабитный Ethernet коммутатор (GigE Switch).Такая архитектура набора позволяет легко наращивать число каналов аппаратуры на их основе с минимальными затратами. Применение VINETIC-SVIP в комплекте с микросхемой SLIC-R позволяет снизить стоимость навесных элементов в аппаратуре до 40% и уменьшить площадь, занимаемую интерфейсной частью схемы на 30% по сравнению с существующими на рынке конкурентными решениями. А использование VINETIC-SVIP совместно с передовыми xDSL и ISDN чипсетами Инфинеона обеспечивает наилучшее VoIP решение для мультисервисных систем доступа.

Встроенный в VINETIC-SVIP контроллер линейных карт обеспечивает впервые в отрасли CODEC/SLIC решение, поддерживающее широкополосный звуковой диапазон (частота дискретизации 16 кГц с широкополосной фильтрацией). VINETIC-SVIP полностью совместим с оборудованием и сервисами традиционных телефонных сетей и обеспечивает расширенные возможности тестирования линии.

Доступны инженерные образцы микросхем VINETIC-SVIP и SLIC-R, а также средства разработки включая оценочную плату, руководства по проектированию, схемы, firmware и прикладное ПО верхнего уровня.
Подробнее о микросхемах семейства VINETIC

25.03.2008
XMM 1013 - впервые недорогая GSM/Wi-Fi платформа от Infineon Technologies с мобильным VoIP.

На весенней выставке VON.x Conference and Expo в Калифорнии Инфинеон представил бюджетную GSM платформу с возможностью передачи голоса через Wi-Fi сети. То, что раньше было привилегией дорогих коммуникаторов, стало доступным в обычных мобильных телефонах. Используя такой мобильный телефон (с двумя режимами работы) пользователь может вести разговоры как в GSM сети, так и пользоваться недорогой VoIP технологией посредством беспроводных локальных сетей (WLANs)

Новая XMM 1013 платформа базируется на двух чипах: инфинеоновском GSM X-GOLD 101 и Wi-Fi микросхеме AR6101 ROCm, фирмы Atheros Communications. Использование этого решения позволило получить лучшее в отрасли соотношение цена- качество для такого комбинированного VoIP телефона.

Помимо поддержки традиционных Интернет VoIP клиентов как MSN, Google Talk, Yahoo и FON, новая платформа имеет такую характеристику, как возможность вести высококачественные VoIP разговоры в течение 6 часов.

Образцы XMM 1013 платформы уже поставляются ведущим производителям телефонов.

Серийное производство планируется во 2-ом квартале 2008 года.

13.03.2008
Компания Инфинеон анонсировала первые в отрасли MOSFET транзисторы, изготовленные по технологии так называемого "суперперехода" (superjunction) c рабочим напряжением 900В. Транзисторы, изготовленные на основе этой технологии, имеют фирменное название CoolMOS. Транзисторы предназначены, прежде всего, для применения в ключевых источниках питания, в возобновляемых источниках электроэнергии, в частности такими приложениями являются LCD телевизоры, солнечные батареи, телевизионные приставки, осветительные системы. Новая серия транзисторов выпускается в стандартных корпусах и имеет следующие характеристики по сопротивлению сток - исток во включенном состоянии (R _DS(on)): для корпуса TO-247 - 120 мОм, для ТО-220 - 340 мОм, для D-PAK - 1200 мОм. Приведенные значения более чем на 75% меньше, чем можно получить при изготовлении стандартных V-MOSFET силовых транзисторов.

Доступны для заказа образцы транзисторов в корпусах ТО-220, ТО-247, (сопротивление канала 340 мОм) и в корпусе D-PAK (сопротивление канала 1,2 Ом). Цена на лучший в серии 120 мОм транзистор в корпусе ТО-247 при серийных объемах ожидается ниже 2,4 евро.
Подробнее о характеристиках 120 мОм транзистора здесь.
Статья по областям применения новой серии здесь.

22.02.2008
Новый оценочный набор для разработки контроллеров бытовых приводов от Infineon Technologies.

Infineon Technologies выпустила недорогое средство для разработки устройств управления 3-фазными приводами (Development Kit). Кит базируется на 8- разрядном микроконтроллере серии XC866 , поддерживающем FOC (Field Oriented Control) алгоритм управления электромотором. В состав набора также входит новый интеллектуальный силовой модуль с интегрированными силовыми IGBT транзисторами CIPOS (Control Integrated Power System). В состав кита включено программное обеспечение для реализации алгоритма FOC (Field Oriented Control). Кит представляет по сути референс-дизайн для проектирования устройств управления как для PMSM (синхронный электродвигатель на основе постоянных магнитов) так и для ACIM (асинхронный двигатель) электромоторов мощностью до 750 Вт. Такие электромоторы нашли широкое применение в стиральных, посудомоечных машинах, в кондиционерах, промышленных вентиляторах и насосах. Подробнее здесь.

07.02.2008
На склад ЭФО поступили микросхемы PEF80912HV1.4 - (Q-SMINT-O) - 2B1Q контроллера ISDN сетевого окончания NT1.

28.01.2008
Цифровой автомобильный телевизионный TV тюнер Panasonic на микросхеме Инфинеон TUA6045

Infineon Technologies AG анонсировала, что ее микросхема радиочастотного телевизионного тюнера TUA6045 (OmniTune™) выбрана известной японской компанией Panasonic Electronic Devices Co., Ltd, в качестве основы для нового цифрового автомобильного ТВ тюнера. Инфинеон уже начал поставки этой микросхемы в адрес Панасоник для обеспечения производства устройства.

TUA6045 это микросхема радиочастотного тюнера с низким питающим напряжением 3,3 В, без ухудшения радиочастотных характеристик. Питание от напряжения 3,3 В вместо традиционных 5В позволяет сэкономить до 30% энергии источника питания.

OmniTune первая в мире микросхема в которой размещены схемы смесителя-генератора, усилителя ПЧ с АРУ и цифровой программируемой ФАПЧ. Микросхема предназначена для использования в портативных ТВ тюнерах. Поддерживаются как аналоговый так и цифровой телевизионные стандарты вещательного и кабельного телевидения.

На складе ЭФО имеются образцы микросхемы TUA6045.

Подробнее здесь.

17.01.2008
TLE 5010 - новая микросхема прецизионного датчика углового положения на основе магниторезистивного (GMR) эффекта от Инфинеон.

В 2007 году Нобелевская премия в области физики была присуждена за открытие магниторезистивного эффекта (эффекта гигантского магнитосопротивления - GMR эффекта). В этом же году фирма Инфинеон начала серийное производство полупроводниковой микросхемы датчика угла на базе GMR эффекта - интегрального iGMR сенсора. Этот датчик, позволяющий измерять с высокой точностью угловое положение в диапазоне от 0° до 360° , содержит интегрированные на полупроводниковый кристалл два полных GMR моста, температурный сенсор, два АЦП, несколько стабилизаторов напряжения, дополнительные фильтры, и встроенную схему управления и предварительной обработки сигналов.

На выходе микросхемы получают в цифровой форме значения синуса и косинуса измеряемого угла. Эти сигналы обрабатываются далее с помощью 8-разрядного микроконтроллера, на выходе которого получают сигнал, соответствующий величине угла.

Передача данных между датчиком и микроконтроллером в цифровой форме (SPI интерфейс) позволяет получить высокую помехозащищенность, что важно для получения высокой точности измерения угла. Дополнительно встроенный датчик температуры позволяет поддерживать высокую точность в диапазоне температур -40 °C to +150 °C.

GMR эффект основан на изменении сопротивления многослойной металлической пленки толщиной в несколько нанометров при воздействии на нее магнитного поля. Упрощенно пленка содержит опорный слой с фиксированной ориентированной намагниченностью (опорное направление намагниченности). Есть также второй, чувствительный слой намагниченность которого принимает направление внешнего магнитного поля. Чувствительный и опорный слои разделены третьим медным слоем толщиной всего в несколько атомов. Этот третий слой и создает GMR эффект. Электрическое сопротивление этого слоя изменяется в зависимости от угла между внешним магнитным полем и направлением намагниченности опорного слоя. Инфинеону удалось совместить с CMOS технологическим процессом изготовление GMR пленочной структуры, обеспечивающую требуемую точность измерения угла.

Подробные характеристики приведены здесь.

09.11.2007
XE166 - новое семейство микроконтроллеров Инфинеон с встроенным DSP, мощной периферией и увеличенным объемом флэш памяти.

Компанией Infineon Technologies анонсировано новое семейство 16-разрядных микроконтроллеров, с малым временем отклика на прерывания и контекстным переключением, оптимизированных для управления промышленными приводами.

Новое семейство, названное XE166, имеет производительность позволяющую, например, реализовать раздельное упра вление 4 моторами от одного микроконтроллера. XE166 семейство базируется на ядре C166S V2. Производительность микроконтроллеров с тактовой частотой 80 МГц составляет 80 MIPS, что в два раза выше, чем у предшественников - микроконтроллеров семейства XC166. Увеличен также втрое до 768 кБ объем встроенной флэш памяти. В тоже время новое семейство программно совместимо с семейством XC166.

На кристалле микроконтроллера помимо ALU и DSP блоков имеется встроенный стабилизатор напряжения, тактовые генераторы, супервизор питания и сторожевой таймер. Набор периферийных устройств включает в себя до 4-х блоков захвата-сравнения для управления электромоторами с использованием алгоритмов синусоидальной или пространственной векторной модуляции. ХЕ166 имеет 2 синхронизируемых 10 разрядных АЦП на 24 канала, с временем преобразования 1,2 мкс. Имеется широкий набор интерфейсов, таких как MultiCAN (до 5 CAN узлов и до 128 сообщений одновременно), а также новый гибкий интерфейс, позволяющий подключить до 6 каналов универсального последовательного интерфейса к внешним периферийным устройствам через UART, LIN, SPI, I2C или IIS интерфейсы.

Семейство XE166 будет состоять из 28 модификаций микроконтроллеров, различающихся объемом встроенной флэш памяти (192 кБайт, 384 кБайт , 576 кБайт и 768 кБайт), рабочей частотой (66МГц/80 МГц), набором периферии и типом корпуса ( LQFP-100 или LQFP-144) с количеством выводов 100 или 144.

Сегодня Инфинеон представил первые 2 серии микроконтроллеров семейства XE166: XE164 и XE167. Доступны образцы. Цена образцов варьируется в зависимости от набора характеристик. Например микроконтроллер XE164G-24F66L на частоту 66МГц, 192 кБайт флэш, до 24 кБайт RAM, промышленный температурный диапазон от -40°C до +85°C, стоит порядка 6,8 евро в количествах 20к. В дальнейшем семейство XE166 будет расширяться за счет недорогих модификаций в корпусах с количеством выводов 64 и более дорогих с 176 выводами.

Средства разработки: XE166 семейство поддерживается полным набором средств разработки, включающих в себя оценочные платы, отладчики, компиляторы и документацию. Кроме того, компания Altium в кооперации с Инфинеоном предлагает безлицензионное (бесплатное) в течение года использование компилятора Tasking XE166 Compiler Tool Chain.Эта специальная версия Altium's Tasking C166 Compiler Toolset содержит мощный набор программных средств. Этот программный продукт обеспечит разработчиков всеми необходимыми инструментами для разработки XE166 приложений от начала и до конца. Пользователь может сделать upgrade этого ПО до полной неограниченной версии классического Tasking C166 Software Development Toolset или нового Tasking VX-toolset for C166. Компилятор последнего программного продукта позволяет оптимизировать код и увеличить производительность 16-разрядных микроконтроллеров.

Для получения более подробной информации и регистрации для получения бесплатной версии Tasking XE166 Compiler Tool Chain см. здесь www.infineon.com/XE166.

02.08.2007
В программу поставок ЭФО включены силовые модули Инфинеон (бывшая продукция EUPEC).

В перечень поставляемой продукции входят силовые IGBT модули (до 3600А , 6500В) и драйверы для них, тиристорные, диодные выпрямительные модули, тиристоры и диоды в дисковом корпусе (Presspacks), IGBT сборки для инверторов (ModSTACK, PrimeSTACK). Подробнее здесь.

13.07.2007
Размещена статья "Микросхемы Infineon Technologies для широкополосного xDSL доступа. SOCRATES-EFM".

12.07.2007
CiPoS - новые интеллектуальные силовые модули Инфинеон для управления электроприводами бытовой техники.

На выставке PCIM 2007 в Нюренберге, Германия компания Инфинеон представила новое семейство высокоинтегрированных интеллектуальных силовых модулей, которые содержат практически все полупроводниковые компоненты, необходимые для электронного управления электромоторами. Модули, названные CiPoS (Control Integrated Power System), предназначены для применения в бытовой технике, имеющей электромоторы: стиральные машины, кондиционеры, вентиляторы, пылесосы и т.п. Применение этих модулей позволит повысить к.п.д. управляемых бытовых электроприводов до 94%.

Новые CiPoS модули содержат в себе мощный 3-х фазный инверторный каскад с драйвером, выполненным по технологии SOI (Silicon-On- Insulator) - кремний -на-изоляторе, форсирующие диоды и конденсаторы и дополнительные схемы, размещенные в компактном гальванически изолированном корпусе. В силовой части схемы использованы IGBT транзисторы серии TrenchStop и EmCon диоды Инфинеон. По сравнению со схемотехникой на дискретных компонентах такое исполнение позволяет заменить 23 дискретных элемента, уменьшить габариты, повысить надежность, снизить электромагнитные помехи, ускорить цикл разработки изделия. Например, для управления вентилятором понадобится 9 внешних компонентов и микроконтроллер. CiPoS модуль готовое решение для управления электроприводами любых систем мощностью до 3 кВт.

Среди характеристик CiPoS можно отметить самое низкое в отрасли тепловое сопротивление переход- корпус, что дает выигрыш в максимальном выходном токе в 20% по сравнению с аналогами, например для CiPoS модуля IKCS12F60AA тепловое сопротивление составляет 3.6°C/W.

Сопряжение управляющих выводов CiPoS модуля с микроконтроллером производится посредством подтягивающих резисторов. В случае необходимости применения обратной связи используется дополнительный операционный усилитель.

Семейство CiPoS модулей будет состоять, по крайней мере, из 6 модификаций. В настоящее время доступы инженерные образцы модулей для применения в составе стиральных машин и подобных приложений. Модули отличаются количеством силовых IGBT (4 или 6), открытым или закрытым эмиттером, формой выводов.

Цена, например, IKCS12F60AA составит $12,5 в количестве 1000 штук. Начало серийного производства планируется на 3 квартал 2007 года. Подробнее здесь.

07.03.2007
Новый 8-разрядный микроконтроллер Инфинеон с флэш-памятью и расширенным диапазоном рабочих температур до +140°C

13 февраля 2007 года на выставке Embedded World Show 2007 в Нюренберге, Инфинеон анонсировал микроконтроллер семейства XC866 HOT с предельной рабочей температурой +140°C.

Микрокроконтроллер (MCU) имеет встроенную флэш-память от 4 до 16 кБайт. Количество циклов чтение/запись флэш составляет 100000 при температуре +140°C. (MCU) базируется на архитектуре 8051, имеет тактовую частоту 26,67 МГц, встроенный генератор с ФАПЧ, регулятор напряжения работающий от одного источника питания 3,3 или 5 В. В состав периферии входят: блок захвата сравнения, быстрый 8-канальный 10-разрядный АЦП, 3 16-разрядных таймера, UART, SSC, JTAG. Освоен серийный выпуск в корпусе TSSOP-38.

Подробнее - PDF

08.02.2007
SOCRATES-e это новое, 3-е поколение SHDSL приемопередатчиков Инфинеон, предназначенных для применения в телекоммуникационных системах стандарта Ethernet First Mile (EFM)- "Интернет первая миля". Микросхема выпускается в 1-, 2-, 3- канальном вариантах и поддерживает технологии Интернет, пакетной передачи, АТМ, TDM. Трансиверы полностью совместимы с соответствующими стандартами ETSI, ITU и IEEE. Микросхемы имеют улучшенную функциональность и характеристики наряду с высокой интеграцией и малым потреблением. Важной характеристикой является совместимость с предыдущими поколениями SOCRATES что облегчает сопряжение новых разработок с существующими техническими решениями. Имеется средство для разработки -оценочная плата EASY 24628.
Ключевые характеристики:

• Поддержка стандартов:
  • ETSI SHDSL (ETSI TS 101 524 V 1.2.1)
  • ETSI SHDSL.bis (ETSI TS 101 524 V 1.2.2)
  • ITU G.shdsl (ITU-T G.991.2)
  • ITU G.shdls.bis (ITU-T G.991.2 (2004))
  • ITU G.hs (ITU-T G.994.1)
  • IEEE EFM (IEEE 802.3-2004)
• Встроенный контроллер старта и объединения каналов (PAF, M-PAIR)
• Встроенная RAM для загрузки FW и компенсации задержки объединенных каналов
• PG-LBGA-324-2 корпус
• Низкое потребление: 500мВт в режиме TDM, 700мВт в режиме EFM
• компенсация перекрестных искажений в объединенных SHDSL каналах

• Абонентское оборудование (CPE)/модемы: EFM или TDM и комбинированные решения
• (CPE)/модемы: PoSHDSL (пакеты поверх SHDSL)
• DSLAM: SHDSL линейные карты для EFM, TDM и комбинированных решений
• DSLAM: PoSHDSL линейные карты

08.11.2006
OptiMOS 3 новое семейство N-канальных MOSFET от Инфинеон для экономичных DC-DC преобразователей

На проходившей в октябре 2006 года в США, Лонг Бич, Калифорния, выставке Power Systems World 2006 Инфинеон анонсировал новое семейство полупроводниковых приборов, предназначенных для применения в DC/DC преобразователях для питания компьютеров, телекоммуникационных устройств, бытовой электроники. Новая серия 30-Вольтовых N-канальных MOSFET транзисторов, названная OptiMOS 3, повышает надежность и к.п.д. (на 1-1,3%) преобразователей в типовых включениях благодаря улучшенным характеристикам транзистора - сопротивление во включенном состоянии, плотность мощности, заряд затвора.

Незначительное на первый взгляд повышение к.п.д. (1-1,3%), может вылиться в существенную экономию энергии. Например, 1 процент снижения потерь 1200 Ватт источников питания серверных систем в мире даст в год экономию в 360 Мегаватт электроэнергии.

Новая серия OptiMOS 3 транзисторов по сравнению с предыдущим поколением OptiMOS 2, имеет улучшение по таким ключевым характеристикам, как сопротивление во включенном состоянии (на 30% лучше - до 1,6 мОм), или такие же параметры в корпусе меньшем на 60%.

Новый для семейства корпус Shrink SuperSO8 (S3O8) имеет размеры 3х3 мм (см. фото), что позволяет сэкономить до 60% площади печатной платы DC/DC конвертера.

Новая серия будет выпускаться в корпусах 8 типов всего более 80 наименований с разными значениями RDS(on). Цена, например лучшего в классе транзистора BSC016N03LSG с сопротивлением канала во включенном состоянии 1,6мОм, корпусе S3O8 составляет мене $1 при количестве в 10000 шт. Подробнее о BSC016N03LSG здесь.

15.09.2006
Инфинеон открывает свою первую в азиатском регионе (Front-End-Fab) фабрику по производству полупроводниковых кристаллов для силовых компонентов

Новая полупроводниковая фабрика расположена в г.Кулим (Kulim) Малайзия. Инвестиции Инфинеона в это производство составляют около 1 миллиарда долларов.

При выходе на полную мощность на фабрике будет работать 1700 человек. Максимальная мощность производства около 100 тысяч пластин диаметром 200 мм в месяц. Новая фабрика будет производить силовые и аналого-цифровые кристаллы для промышленного и автомобильного применения.

Запуск этого производства очередной шаг в упрочении лидирующего положения Инфинеон на мировом рынке силовой электроники.

Согласно маркетинговым исследованиям фирмы IMS Research, Инфинеон последние три года занимает позицию ©1 в мире по производству силовых полупроводников с долей 9,3 % из $11,35 миллиардов мирового объема в 2005 году.

Ключевыми компонентами, которые будут производиться на новой фабрике, являются силовые MOSFET семейства CoolMOS, IGBT транзисторы - для промышленных приложений и чипы интеллектуальных силовых ключей (например PROFET, HITFET) для автомобильной электроники.

15.09.2006
Обновлен Data Sheet на 8-разрядный микроконтроллер Инфинеон с флэш-памятью XC866.

01.09.2006

Выпущен Стартовый набор XC164CM U CAN start kit для 16-разрядного микроконтроллера XC164CM фирмы Инфинеон.

XC164CM U CAN start kit - полноценная платформа для изучения и оценки возможностей применения микроконтроллера XC164CM в приложениях с CAN - интерфейсом. Стартовый набор выполнен в форм-факторе USB Flash Drive для удобного соединения с ноутбуком или компьютером. С противоположной стороны модуля расположен 10- контактный разъем для CAN, через который также реализуется доступ к аналоговым и цифровым входным/выходным сигналам. Включение и запуск набора в работу требует всего 4 -х шагов. Дополнительный источник питания не требуется
В комплект поставки входит:

• USB модуль с микроконтроллером SAF-XC164CM-8F40F (ссылка на pdf)
• XC166 Компилятор Tasking
• Отладчик HITEX HiTop
• Примеры CAN - программ с исходными текстами

Подробнее здесь

15.08.2006

Семейство микросхем Инфинеон для беспроводного управления малого радиуса действия пополнилось. TDK551xF микросхема ASK/FSK передатчика с повышенной выходной мощностью диапазона 433/868 МГц в корпусе TSSOP-10. Инфинеон выпустил "облегченную" версию популярной микросхемы передатчика серии TDK511x. Новая микросхема, названная TDK511xF, отличается корпусом с меньшим количеством выводов TSSOP-10 и меньшей универсальностью. В отличие от полной функциональной версии микросхема выпускается на фиксированные частотные диапазоны:

• 433...435 МГц (TDK5110F)
• 311...317 МГц (TDK5111F)
• 868...870 МГц (TDK5116F)

• выходная мощность 10 дБм
• ASK/FSK модуляция
• Напряжение источника питания 2,1...4 В
• диапазон рабочих температур -40...+125 С
• интегрированный синтезатор частоты с ФАПЧ
• Ток потребления в режиме передачи 14 мА
• Ток потребления в режиме ожидания 0,3 нА

• системы контроля давления в автомобильных шинах
• системы доступа
• удаленное управление бытовой техникой
• системы охраны и сигнализации
• коммуникации

Выпускаются оценочные платы с референс разводкой печатной платы.

На складе ЭФО имеются образцы TDK5110

Подробнее здесь

07.08.2006

TUA6039 новая микросхема однокристального TV тюнера от Инфинеон.

Infineon Technologies AG ведущий производитель микросхем телевизионных тюнеров выпустил новую микросхему TUA6039 Taifun. На одном кристалле размещены схемы обработки сигнала на радиочастоте (RF) и промежуточной частоте, что позволяет сделать более компактный недорогой TV тюнер без ухудшения характеристик.

По сравнению со стандартной реализацией TV тюнера из двух микросхем - TUA6034 + TDA6192 (RF+IF) - новая микросхема дает выигрыш в 2 раза по площади, занимаемой на печатной плате и потребляемой мощности. Ее основные области использования - телевизионные тюнеры, TV приставки (set-top box).

За последние несколько десятков лет Инфинеон успешно внедрил несколько поколений микросхем TV тюнеров, которые используются в более чем 60% производимых в мире вещательных ТВ приемников. Кроме того, аналоговые и цифровые микросхемы тюнеров Инфинеон используются в каждом четвертом TV тюнере в мире.

TUA6039 изготавливается по биполярному технологическому процессу. Функционально это полный 3-х диапазонный RF тюнер с интегрированным усилителем промежуточной частоты с АРУ и ФАПЧ. Напряжение источника питания от 3 до 5В, потребляемая мощность 330 мВт. Микросхема поддерживает все основные аналоговые и цифровые стандарты для вещательного и кабельного телевидения: PAL, SECAM, NTSC, DVB-C, DVB-T, T-DMB, DAB, ISDB-T and ATSC.

Относительно широкий диапазон питающих напряжений микросхемы позволяет гибко встраивать модули тюнера в различные приемные системы с разными источниками питания. Достоинством является наличие у микросхемы режимов снижающих потребляемую мощность - режима ожидания и функции удаленного включения режима пониженного потребления.

Доступны для заказа образцы TUA6039 (корпус PG-VQFN-48) и референс- дизайн для ускорения выхода на рынок. Начало серийного производство запланировано на 3 квартал 2006. Для портативных устройств выпускаются ранее анонсированные микросхемы тюнеров TUA 6041 / TUA6045.

20.07.2006

Выпущен новый каталог Инфинеон по CPE телекоммуникационным компонентам.

Рынок пользовательской телекоммуникационной аппаратуры, так называемого СРЕ оборудования, получил в последние годы бурное развитие. В течение нескольких лет мы стали свидетелями эволюции этого класса аппаратуры от простых модемов для передачи данных, до сложных шлюзов с богатым набором функций, позволяющим реализовать массу приложений, включая VoIP, проводную и беспроводную маршрутизацию, используя для этого все более широкую полосу частот. Инфинеон традиционно предлагает широкий спектр полупроводниковых компонентов в этой области, подкрепленных, референс - дизайнами и прикладным программным обеспечением.

Спектр телекоммуникационных технологий для широкополосного СРЕ включает: ADSL2+, VDSL2 и SHDSL, в том числе и в однокристальном исполнении. Эти компоненты находят широкое применение в новых системах с IPTV и HDTV сервисами.

А соединненые с инфинеоновскими производительными беспроводными и проводными сетевыми процессорами и VoIP чипсетами позоляют получить широкополосные шлюзы верхнего уровня. Более того Инфинеон предлагает решения для домашних видео сетей в которых помимо широкополосных СРЕ микросхем используются производимые им PoF оптические кабели. Более подробно спектр применяемых CPE компонентов приведен в выпущенном Инфинеоном каталоге

04.07.2006
VINETIC-Plus первый в мире цифровой и аналоговый VoIP процессор на одном кристалле. Новая микросхема от Инфинеон позволяет получить малогабаритные VoIP адаптеры.

Инфинеон анонсировал однокристальный VoIP процессор, включающий в себя кодек и интерфейс аналоговой телефонной линии. Новая микросхема, получившая фирменное название VINETIC-Plus, закладывает основу для создания сверхкомпактных VoIP телефонных адаптеров, с помощью которых станет возможным по аналоговому телефону совершать VoIP звонки из любого широкополосного Интернет соединения.

По сравнению с существующими решениями применение новой микросхемы снижает требуемую площадь печатной более чем на 30%. Например площадь печатной платы 2-х канальной FXS (Foreign Exchange Station) VoIP системы на базе VINETIC-Plus составляет 48х48 мм

Рынок VoIP устройств доступа растет бурными темпами. Количество VoIP абонентов по оценкам изменится с 35 миллионов в 2006 году до 104 млн в 2010 году (оценка iSuppli))

Высокоинтегрированный VINETIC-Plus чип содержит ЦСП (DSP), память, кодек, двуканальный SLIC, который поддерживает стандартные телефонные функции, такие как ID вызова, удержание вызова, трех-сторонние конференции.

Микросхема поддерживается недавно выпущенным программным пакетом Spinacer, многофункциональным программным продуктом, включающим в себя поддержки ADSL2+, VoIP, WLAN. VINETIC-Plus поддерживает 1- или 2- канальные телефонные интерфейсы, а также 4-канальный VoIP и G.711, G.723.1, G.726 ADPCM, G.729A/B, iLBC кодирование и T.38 факс.

Выпускается в корпусе PG-LBGA-144 (green), сейчас доступны образцы.

30.06.2006
Обновлен раздел Продукция Инфинеон.Размещен краткий каталог поставляемых компонентов 2006 года. В pdf каталоге представлены полупроводниковые компоненты для проводных и беспроводных телекоммуникаций, микроконтроллеры,cиловые полупроводники,дискретные компоненты,сенсоры,микросхемы для чип -карт.

26.06.2006
Обновлен раздел Статьи. Добавлена статья "Микросхемы Infineon для ключевых источников питания"

14.06.2006
Обновлен раздел Статьи. Добавлена статья "Новая микросхема контроллера интеллектуального балласта для люминесцентных ламп ICB1FL01G от Infineon Technologies"

09.06.2006

Инфинеон представляет новые IGBT модули серии PrimePACKT, оптимизированные для промышленного применения. Улучшенный конструктив и новая технология чипов IGBT4 обеспечивают 60% снижение паразитной индуктивности и расширение рабочей температуры до +150°C

На прошедшей в конце мая в Нюрнберге выставке силовой электроники PCIM 2006 Infineon Technologies представила новое семейство компактных IGBT модулей, предназначенных для применения в различных системах преобразования энергии: промышленные приводы, ветряные мельницы, лифты и другие подъемные механизмы, источники питания и нагревательные приборы на железнодорожном транспорте. Новые модули, названные PrimePACKT, имеют усовершенствованный корпус и используют кристаллы нового поколения IGBT4.

Усовершенствованный конструктив, в котором в частности IGBT кристаллы размещаются ближе к точкам крепления подложки винтами к теплостоку, дает снижение теплового сопротивления между подложкой и теплостоком и дополнительно снижает на 60% внутреннюю паразитную индуктивность по сравнению со стандартными модулями. Уменьшение паразитной индуктивности важно для повышения устойчивости к импульсам перенапряжения. Специальная топология разводки улучшает распределение тепла, что дает в результате низкое тепловое сопротивление системы в целом. В результате предельная рабочая температура составляет +150°C, что существенно превосходит +125°C модулей предшественников. Это также позволило Инфинеону установить нижнюю границу температуры хранения модулей с - 40 °C до - 50 °C. Использование новых IGBT модулей в мощных преобразователях позволит увеличить номинальные токи примерно на 20% при том же обратном напряжении или таких же размерах модуля или рассеять такую же мощность в модулях сравнительно меньшего размера.

Модули PrimePACK выпускаются в классах 1200В и 1700В и имеют две модификации по размерам: 89 mm x 172 mm PrimePACK2 и 89 mm x 250 mm PrimePACK3. Оба модуля на 45% легче, чем аналогичные модули с такой же мощностью. Полумостовая конфигурация и модульность конструкции PrimePACK облегчают масштабирование мощности преобразователей, путем использования модулей разных размеров или соединением однотипных модулей параллельно.

Рынок промышленных приводов имеет хороший потенциал роста. Согласно исследованиям IMS Research ожидается его увеличение с 8,5 миллиардов долларов в 2005 году до 9, 4 миллиардов долларов США в 2008 году (около 6% роста в год). Использование электронного управления приводами позволяет снизить расход электроэнергии до 40% на каждый мотор.

Образцы 1200 V и 1700 V PrimePACK модулей уже доступны. Серийное производство планируется начать в 1 квартале 2007 года. Модули имеют "бессвинцовое" исполнение и удовлетворяют требованиям по защите NFF16-101 and 16-102.

Внедрением нового поколения IGBT4 чипов Инфинеон впервые выпустил на рынок 1200В компоненты с максимальной рабочей температурой 150°C и температурой перехода 175°C. Помимо улучшенных температурных характеристик IGBT4 чипы имеют уменьшенные потери в прямом направлении и превосходную устойчивость к электрическим перегрузкам.

06.06.2006
Обновлен раздел Статьи. Добавлен Буклет "Силовые полупроводниковые компоненты Инфинеон" (рус)

05.06.2006
Обновлены разделы:
1) Продукция /пункт "Силовые высоковольтные (300В < U <800В) МОП n-канальные транзисторы (CoolMOS)" добавлена таблица с параметрами
2) Статьи: добавлены 2 статьи по средствам разработки для 16-разрядных (XC166) и 32- разрядных (TriCore) микроконтроллеров Инфинеон.

19.05.2006
Беспроводные телефоны с чипами Инфинеон: Недорогие DECT телефоны с Интернет функциями - развитие европейского стандарта.

Прошло уже 10 лет с начала запуска успешного DECT (Digital Enhanced Cordless Telecommunications) стандарта для беспроводной телефонии. В 1996 в Европе насчитывалось около 15 миллионов DECT - совместимых аппаратов из них 12 млн. в Германии. Ультрасовременная для того времени электроника обеспечивала цифровую передачу телефонных разговоров на расстояние до 300 м от базовой станции, при этом обеспечивалась высокая помехозащищенность и низкий уровень интерференции. Сегодня согласно имеющимся оценкам в мире работает 220 миллионов таких аппаратов. и прогнозируется, что только в этом году потребность составит 40 миллионов новых DECT телефонов. Новые телефоны более экономичны, имеют меньшую стоимость, в них будут интегрированы такие интернет функции, как передача новостей, музыкальных программ, доступ к базам данных, обмен SMS.

Компания Инфинеон, уже продавшая на настоящий момент около 180 миллионов DECT чипсетов, продолжает улучшать их характеристики. На прошедшей недавно во Франции конференции "DECT -Интернет решения" компания анонсировала свое восьмое поколение DECT чипов, которые позволят производить более доступные по цене беспроводные телефоны с новыми функциями одновременно Infineon Tecnologies объявила о технологической революции: до конца этого года все DECT-функции, которые сейчас реализованы в трех микросхемах, будут упакованы в один кристалл. Это позволит снизить на 40% стоимость телефонов на их основе.

18.05.2006

Новый чипсет для беспроводного цифрового (DECT) телефона от Инфинеон.

Планы создания однокристального DECT телефона.

Infineon Technologies анонсировала выпуск нового чипсета для цифровых беспроводных телефонов (стандарт DECT), с расширенными функциональными возможностями, что позволяет снизить стоимость системы в целом. Инфинеон заявил также о своих планах создания первого в отрасли однокристального DECT решения (путем интеграции цифровой и радиочастотной функциональных частей), которое рассматривается как высокоэффективная гибкая платформа для DECT телефонов следующего поколения.

Новый чипсет состоит из STEP8 контроллера DECT диапазона - восьмого поколения DECT контроллеров Инфинеон, (начало продаж первого поколения которых датируется 1990 годом). STEP8 контроллер дополнен такими функциями как полифонический звонок, цветной дисплей, содержит микроконтроллер, оптимизированный на максимальную производительность. В состав чипсета входит также радиочастотная микросхема приемопередатчика и усилителя мощности.

Одновременно Инфинеон объявил о начале разработки нового однокристального варианта DECT включающего в себя 2 вышеназванных чипа. Новый чип называется COSIC (COrdless SIngle Chip).Первые образцы будут доступны в конце 2006 года. Применение COSIC позволит уменьшить количество компонентов на плате до 50% и снизить стоимость телефона до 40%.Освободишвиеся площади печатной платы могут быть использованы для интеграции новых функций в DECT телефон, например VoIP или (и) IMS (Integrated Message Services).

Новый STEP8 контроллер изготавливается по 0.13чm CMOS технологии, поддерживает все DECT частоты, интерфейсы I2C, JTAG и SPI, имеет все необходимое программное обеспечение включая уровень API. Доступны инженерные образцы, серийное производство намечено на 3 квартал 2006 года.

Рынок беспроводных цифровых телефонов имеет большой потенциал, поскольку, например, в Европе и США все еще высока доля владельцев, использующих проводные аналоговые телефонные аппараты. А на рынках Китая и Восточной Европы потребности в DECT еще выше.

По данным, полученным Instat (2006) в результате исследований рынка, прогнозируется рост количества внутренних DECT телефонных баз с 38 миллионов в 2005 году до 55 млн.штук в 2009 году. Инфинеон ожидает наибольший рост объема продаж в сегменте рынка DECT аппаратов с ценой ниже 50 евро. Для поддержки этого сегмента производители телефонных систем будут выбирать недорогие платформы с наилучшими характеристиками.

О DECT контроллере Step8 и планах развития COSIC.

Новый DECT контроллер производится по 0,13 мкм КМОП технологическому процессу и поддерживает все DECT частоты. Улучшение характеристик включает в себя I2C, JTAG и SPI интерфейсы, необходимое программное обеспечение, включая уровень API. Доступны инженерные образцы, серийное производство намечено на 3 квартал 2006 года. Одновременно Инфинеон объявил о начале разработки нового однокристального варианта DECT включающего в себя функционально 2 вышеназванных чипа. Новый чип называется COSIC (COrdless SIngle Chip).Гибкая архитектура позволяет поддерживать все основные стандарты как DECT, DECT6.0 and 2.4GHz WDCT с интегрированным усилителем мощности (PA). Поддержка диапазона 5.8GHz возможна с внешним PA.

Первые образцы будут доступны в конце 2006 года. Применение COSIC позволит уменьшить количество компонентов на плате до 50% и снизить стоимость телефона до 40%.Освободишвиеся площади печатной платы могут быть использованы для интеграции новых функций в DECT телефон, например VoIP или (и) IMS (Integrated Message Services).

18.05.2006
В разделе статьи размещена информация о новых микроконтроллерах Инфинеон 2006 года.

17.03.2006
Компанией Инфинеон издано "Практическое руководство по проектированию на базе семейства микроконтроллеров XC166" Руководство предназначено как для начинающих так и для продвинутых разработчиков.

17.03.2006
Вышел в свет новый выпуск бюллетеня технической информации, издаваемого Инфинеон Design:)Link ©1/2006. В выпуске приведена краткая информация о последних разработках микросхем. В данном выпуске 4 тематических раздела: телекоммуникации, силовые микросхемы, сенсоры, микроконтроллеры. В разделе телекоммуникации приведена информация о популярном VoIP чипсете Инфинеон VINETIC-4C и VINETIC-4S. В разделе Силовые микросхемы - данные о семействе мостовых/полумостовых драйверов силовых МОП транзисторов на токи до 160А. (TLE6282G, TLE6284G и др.). В разделе Сенсоры - описание нового линейного датчика Холла TLE4997. Подробнее здесь.

10.03.2006
Новый VoIP процессор Инфинеона INCA-IP2 (PSB 21653 E) - однокристальный IP- телефон с удвоенной производительностью встроенного процессора.

Мюнхен, Германия - 2 марта 2006 года - Infineon Technologies ведущий производитель микросхем для телекоммуникаций объявила о выпуске микросхемы INCA-IP2 -однокристальной Gigabit Ethernet IP телефонной системы. INCA-IP2 - второе поколение IP-телефонных систем, выпущенных Инфинеон, базирующееся на двух MIPS32 24KЕс, каждый из которых работает на частоте 400МГц. Первый процессор (CPU) работает как сетевой процессор, в то время как второй обслуживает уникальную операционную систему реального времени совместно со специализированной VoIP аппаратной частью.

По данным последних рыночных исследований фирмы IN-Stat (сентябрь 2005) рынок VoIP микросхем для домашних и промышленных приложений увеличивается со скоростью около 43% в год от 142 миллионов микросхем в 2005 году до прогнозируемых 400 миллионов в 2009 году. В отчете также приведена доля Инфинеона на этом рынке, которая составляет порядка 15%.

INCA-IP2 - второе поколение микросхем для IP телефонии (первое называется INCA-IP) и пятое поколение в ряду компонентов для учережденческих станций, работающее на более высоких тактовых частотах, имеющее функции защиты и телефонные характеристики. Один из 400MHz MIPS встроенных процессоров обеспечивает практически весь диапазон существующих в отрасли кодеков, таких как G.711, G.723, G.729a/b, G.722 и G.722.1 Wideband, а также боле продвинутых ILBC, MP3, MiDi синтезатор, полифонические звонки, видео декодирование, стереозвук. Его интегрированный 3-портовый GbE коммутатор, имеет встроенные функции защиты, такую как процессор классификации и управления полосой пропускания, что дополнительно улучшает QoS (Quality-of-Service) - качество обслуживания и делает микросхему идеальной для применения в современных корпоративных сетях.

INCA-IP2 поддерживает NAND и NOR флэш память, также как и DDR и SDR SDRAM.

Имеет интерфейсы: USB host, 8/16 разрядный параллельный, ИКМ интерфейс, два последовательных и два UART порта.

Имеется встроенный аппаратный блок защиты и идентификации. Блок шифрования входных данных поддерживает AES, DES 3DES стандарты шифрования, а также алгоритмы рандомизации SHA1 и MD5.

Имеется референс дизайн на основе INCA-IP2 - "SIP Phone Hardware and Software reference design", в состав которого входят: плата, пакет ОС Linux и полный комплект приборных драйверов, программно- аппаратное обеспечение голосовых кодеков, SIP стэк системы сигнализации, прикладное программное обеспечение.

INCA-IP2 (PSB21653) выпускается в корпусе P-LBGA-416. В настоящее время доступны инженерные образцы по цене ~ $20.

Подробнее здесь.

17.02.2006
В разделе Статьи размещена публикация "Средства разработки для 8-разрядных микроконтроллеров Инфинеон Отладочный набор Starter Kit XC866"

17.02.2006
XC886, XC888, XC164SM, XC164LM, TC1166 и TC1165 - новые 8-bit, 16- bit и 32-bit микроконтроллеры Инфинеон 2006 года для промышленных и автомобильных приложениий.

Мюнхен, Нюрнберг, Германия - 14 февраля 2006 года - На открывшейся 14 февраля в Нюрнберге выставке Embedded World Infineon Technologies анонсировала выпуск новых микроконтроллеров во всех трех своих линейках 8-разрядные, 16-разрядные и 32-разрядные.

Микроконтроллеры фирмы Инфинеон оптимальным образом подходят для работы в системах управления приводами. Например, эти микроконтроллеры обеспечивают наилучшие в отрасли характеристики работы в режиме реального времени (время отклика на внешнее воздействие).

Микроконтроллеры характеризуются высокой степенью интеграции, что позволяет снизить стоимость системы управления в целом до 40% по сравнению с традиционными решениями на базе дискретных компонентов, таких как DSP, PWM, ADC СБИС, внешние генераторы и др. в дополнении к собственно микроконтроллеру. Проведенные экспертные оценки показывают, что использование электронного управления приводами помимо увеличения надежности систем позволяет сэкономить до 20% потребляемой энергии.

В области микроконтроллеров для промышленных применений Инфинеон имеет непревзойденный 35 летний опыт разработки и производства компонентов и применения их в составе систем управления. Согласно результатам рыночных исследований, проведенных IMS, Инфинеон занимает 4 место на мировом рынке промышленных компонентов и рынок этот будет расти по прогнозам в среднем на 7% в год в период 2004 -2010 ( источник: IMS Research, July 2005).

Техническая информация:

XC886 и XC888 расширение характеристик 8-разрядных микроконтроллеров семейства ХС800.

Улучшены функции сетевого интерфейса: на кристалле размещен полный CAN контроллер и поддержка LIN.

Появившееся в 2005 году семейство микроконтроллеров ХС800 одно из наиболее продвинутых и экономичных по цене микроконтроллеров на рынке, базирующееся на улучшенном ядре 8051 с добавлением на кристалл флэш памяти, ШИМ блока, и высокоточного 10- разрядного АЦП.

В состав XC886 и XC888 включены блок умножения деления (MDU) и до 32кБайт флэш памяти.

Для удовлетворения разнообразных требований конкретных применений рынка промышленных контроллеров Инфинеон планирует выпускать порядка 40 модификаций XC886 и XC888,отличающихся, корпусом, периферией, объемом памяти, температурным диапазоном.
Подробнее здесь

XC164SM и XC164LM -развитие семейства ХС164 - включает в себя 4 новых микроконтроллера XC164SM и 4 микроконтроллера XC164LM. Микроконтроллеры совместимы по коду с ранним семейством на ядре С166, что позволяет легко сделать "апгрэйд" проектов. Микроконтроллер включает в себя гибкий ШИМ блок, 14 канальный АЦП, Twin CAN блок, последовательный интерфейс. Время выполнения инструкции 25нс + DSP функциональность. XC164LM в отличие от XC164SM не содержит АЦП, и ШИМ блока. Соответствующие 4 модификации отличаются объемом памяти и тактовыми частотами.

Инфинеон планирует в течение 3-х месяцев дальнейшее расширение своей линейки 16- разрядных микроконтроллеров, путем оптимизации набора периферии.
Подробнее о XC164SM и XC164LM здесь

TC1166 и TC1165 - дальнейшее расширение TC116x линейки 32-разрядных микроконтроллеров, предназначенных для контроллеров высокоточных промышленных приводов, например таких как станков с ЧПУ, где необходимо управление шаговыми приводами по 3-м осям. Новые микроконтроллеры имеют на 66% более высокую производительность чем TC1161/1162. Они работают на частоте 80 МГц в полном индустриальном диапазоне температур -40°C to +85°C , объем встроенной флэш от 1Мбайт до 1,5 Мбайт. Подробнее см. здесь. Семейство планируется расширяться за счет вариантов периферии и объема памяти.

Доступность, цены:

XC886/888 - образцы доступны, начало серийного производства 4 квартал 2006.
Корпус бессвинцовый TQFP-48 и TQFP-64
XC164SM и XC164LM - уже производятся, доступны в корпусе TQFP-64 (green)
TC1166 и TC1165 - образцы доступны, корпус LQFP-176, начало серийного производства 4 квартал 2006.
Средства разработки доступны - недорогие стартер- кит.
Софт для разработки и отладки и операционные системы поставляются ведущими вендорами.
Цены (для количеств ~10000 штук): XC886/888 - 2.25 евро
XC164SM - 3.95 евро
TC1165 - 11.40 евро

19.12.2005
Инфинеон запускает новое семейство 32 разрядных микроконтроллеров ТС116х для промышленных приложений с высокими характеристиками.

Повсеместное внедрение электронных методов управления приводами позволит сберечь до 20% электрической энергии, расходуемой сейчас в мире.

Мюнхен, Германия - 15 декабря 2005 - Infineon Technologies AG объявил о доступности образцов первых двух представителей ТС116х серии 32-разрядных микроконтроллеров базирующихся на инфинеоновской архитектуре TriCore. В дополнении к высокопроизводительному 66 МГц ЦП, новые микроконтроллеры TC1161 и TC1162 имеют на борту 1Мбайт флэш памяти, полный комплект периферии и все это упаковано в недорогой корпус. По сравнению с традиционными техническими решениями устройств управления приводами на основе отдельного микроконтроллера и специализированной микросхемы выполняющей функции ЦСП и ШИМ, новые микроконтроллеры позволяют снизить цену устройства управления до 40%. Кроме того, уменьшается площадь печатной платы, размер устройства в целом, упрощается программное обеспечение за счет применения унифицированного ПО.

TC1161 и TC1162 предназначены для сегмента промышленных приложений, таких как высокоуровневые приводы постоянного и переменного тока или сервоприводы для высокоточного управления электромоторами в оборудовании и производственных процессах, для управления заводским автоматизированным оборудованием и роботами. Промышленные приложения микроконтроллеров это стратегическое для Инфинеона направление, в котором он предлагает наиболее конкурентные системные решения, включающие в себя компоненты от сенсоров до микроконтроллеров и силовых ключей.

По данным iSuppli (Power Management Report, December 2004) существует большой потенциал роста количества электронных устройств управления приводами, поскольку на сегодня до 80% малых приводов работает без использования электронного управления.

TC1161 и TC1162 оптимизированы для встроенных приложений, где необходимы функции цифровой обработки сигнала в режиме реального времени, требуется специализированная периферия. Новые МК содержат следующую периферию: гибкий блок таймеров (GPTA) для ШИМ применений, многоканальные быстрые АЦП, блок МультиCAN (TC1162), ASC/SSC и Micro Link Interface (MLI) для интерфейса со вторым микроконтроллером. Имеется поддержка отладки на кристалле. Доступны средства разработки программного обеспечения и отладки, операционные системы реального времени от ведущих производителей систем разработки.

Новые микроконтроллеры работают от источника питания 3.3 В (I/O), ядро работает на 1,5 В, корпус PG-LQFP-176 ,температурный диапазон -40° to +85°C. Цена при объемах потребления 10000 штук составляет 9,35 и 9,9 Евро за TC1161 и TC1662 соответственно

Инфинеон планирует пополнять семейство TC116x .В первой половине 2006 году намечен выход еще 4 типов микроконтроллеров этого семейства. Они будут отличаться увеличенным объемом памяти, большими тактовыми частотами, и новой периферией.

06.12.2005
Мюнхен, Германия и Шанхай Китай - 22 ноября 2005 года - Infineon Technologies AG анонсировал две новые микросхемы тюнеров телевизионного сигнала TUA6041 и TUA6045, отличающиеся высокими характеристиками, пониженным потреблением и малыми габаритами, что определяет их основной областью применения портативные, переносные устройства, такие как портативные компьютеры (Laptop), карманные компьютеры, USB приставки (USB dongles). Обе микросхемы - первые в отрасли тюнеры с однократным преобразованием, работающие при таких низких напряжениях питания, как 3В, что позволяет в два раза снизить собственное потребление и рассеиваемую мощность. Функционально в микросхеме на одном кристалле интегрированы схемы обработки сигнала на радиочастоте ( управляемый генератор/смеситель) и на промежуточной частоте (ФАПЧ, УПЧ+АРУ), что повышает надежность системы и снижает до 50% площадь, необходимую на печатной плате (7х7мм).
Каждые 8 из 10 произведенных в мире 12 миллионов телевизоров и телевизионных приставок наземного цифрового телевидения уже работает на компонентах Инфинеон.
Согласно отчету Gartner Dataquest продажи карманных компьютеров, портативных игровых приставок и компьютеров вырастут с 97 миллионов штук в 2005 году до 145 млн штук в 2010.
Обе выпущенные микросхемы предназначены для работы, как в аналоговом, так и цифровом стандартах (PAL, SECAM, NTSC, DVB-C, DVB-T, T-DMB, DAB, ISDB-T и ATSC), что облегчит гибкость использования портативных устройств в период перехода к полностью цифровому телевещанию. Более того - построить гибридные телевизионные тюнеры пригодные как для аналогового, так и цифрового телевещания можно только на микросхеме TUA6045.
Диапазон напряжения питания новых микросхем 3-5,5В. Имеется режим пониженного потребления, возможность ручного управления шириной полосы АРУ. Последний параметр может устанавливаться и программно в процессе производства под требования заказчика.
Доступны для заказа образцы, оценочные плата. Серийное производство - декабрь 2005 года

25.11.2005
Инфинеон перестраивает свой бизнес.

Мюнхен, Германия, 17 ноября 2005 года - Вслед за объявлением о планах поглощения своей дочерней фирмы EUPEC Infineon Technologies предпринял дальнейшие шаги по реорганизации. Наблюдательный совет Инфинеон принял предложение Правления, касающееся стратегических изменений бизнеса. Цель - создание двух независимых компаний, одну для "логических" компонентов, другую для компонентов памяти. Перестройка отражает фундаментальные изменения в целевых рынках Инфинеон. Направление компонентов памяти будет выделено в юридически независимую фирму к июлю 2006 года. Следующим шагом планируется размещение IPO эмиссии этой новой компании. Инфинеон, как родительская компания, в дальнейшем сконцентрируется на условно названном Логическом бизнесе, включающем в себя бизнес - группы Автомобильная, Промышленная электроника и Мультимаркет (объединеные под аббревиатурой AIM) и бизнес группу Коммуникации (COM).
Основными причинами перестройки Вольфганг Зиберт (Dr. Wolfgang Ziebart), Председатель совета директоров Infineon Technologies AG называет следующие две. Во-первых, процессы и бизнес модели для групп Память и Логика развиваются в расходящихся направлениях. Во-вторых, разделение позволит увеличить динамику развития и роста доходности обеих компаний.
Для компонентов памяти существенным является быстрое время реагирования на изменения рынка и прямой доступ к финансовым ресурсам.
В тоже время для компонентов "логики" важнее глубокое понимание приложений, а также согласование всех инноваций с индивидуальными требованиями заказчиков.

Компоненты памяти.

Инфинеон один из мировых лидеров в производстве микросхем памяти на базе 300 мм кремниевых пластин. Доля бизнес группы компонентов памяти в доходах Инфинеона устойчиво превышает 40% в течение последних лет.

Новая компания будет работать на производственных мощностях расположенных в Германии. Фабрика в Дрездене останется технологическим центром по новым разработкам. Директором новой компании назначен член правления Infineon Technologies AG Kin Wah Loh.

"Логические" компоненты.

В это направление включены две бизнес-группы Infineon Technologies AG-AIM и COM. Инфинеон сосредотачивает свои усилия на областях:

1. Автомобильная электроника
2. Промышленная электроника и управление мощностью
3. Компоненты для смарт карт и систем безопасности
4. Радиочастотные компоненты
5. Платформы для мобильных телекоммуникаций
6. Широкополосные телекоммуникации

Инфинеон предполагает использовать средства, полученные от размещения IPO компании Компоненты памяти для развития направлений фирмы "логических" компонентов.
В дальнейшем Инфинеон будет наращивать производственные мощности "логической" фирмы, в частности фабрики в Регенсбурге, Виллахе (Regensburg and Villach), так же как и новой фабрики по производству силовых компонентов в Кулиме, Малайзия. В области стандартных КМОП технологий Инфинеон будет продолжать использовать существующие фабрики в Дрездене и Эссоне (Essonnes, France), совершенствуя их технологические возможности. В частности совместно с UMC осваивается технология 90 нм, а в сотрудничестве с Chartered Semiconductors, IBM и Samsung 65нм и 45нм технологии. Хотя на сегодняшний момент Инфинеон не планирует внедрение 45 нм технологии на своих фабриках.

18.11.2005
Обновлено содержание диска "Силовые компоненты Инфинеон".
Добавлены разделы "Полупроводниковые датчики", "Контроллеры ламповых балластов".Диск доступен для бесплатного заказа здесь

18.10.2005
В разделе Статьи размещена публикация "Восьмиразрядные микроконтроллеры с Flash-памятью фирмы Infineon (семейство XC800)"

05.10.2005
TC1766 - новый 32-разрядный микроконтроллер семейства AUDO-NG TriCore - бюджетная версия TC1796 для автомобильных и промышленных приложений Infineon Technologies выпустил новый 32-разрядный микроконтроллер TC1766. Области применения: управление автомобильными моторами и трансмиссиями, автомобильные локальные сети, промышленные роботы, т.е. такие же как и у ТС1796. Сравнение основных технических характеристик нового микроконтроллера с недавно выпущенным ТС1796 показывает основные отличия:

• Уменьшенное количество выводов и другой корпус - P-BGA-416 у ТС1796 и LQFP- 176 у ТС1766
• Меньшая рабочая частота процессора 80Мгц против 150МГц
• Меньший объем программной флэш-памяти на борту - 1,5МГб против 2 МГб
• Меньшие объемы встроенных флэш памяти данных,SRAM, кэша инструкций
• Умньшенное в 2 раза число каналов контроллера прямого доступа к памяти
• 1 против 2 микросекундный интерфейс (MSC)
• 2 вместо 4-х модуля CAN
• 2-х канальный вместо 4- канального быстрый АЦП
• один 32 -канальный вместо 2х16-канальных блока АЦП
• 36 аналоговых входных линии для АЦП вместо 44
• 81 цифровой порт ввода/вывода вместо123

Более подробно технические характеристики нового микроконтроллера ТС1766 приведены здесь.

Перечисленные отличия позволяют отнести ТС1766 к "бюджетной" версии TC1796 для применений с высокими требованиями к управляющему микроконтроллеру, но чувствительных к цене.

Поставляется средство разработки - Стартер Кит SK-TC1766 Starter Kit. Более подробная информация здесь

22.09.2005
DuSLIC-SP - новый интегрированный двухканальный SLIC Инфинеона.
Infineon увеличивает на 300% свою долю на рынке VoIP устройств в 2004 году.

Мюнхен, Германия и Бостон, США- 20 сентября, 2005 - Infineon Technologies AG объявил, что его доходы от продаж микросхем для VoIP (Voice over Internet Protocol) оборудования, устанавливаемого у пользователя, так называемого CPE оборудования, выросли в 2004 году в 3 раза по сравнению с 2003 годом и составляют более 70 % от всего дохода этого сегмента рынка равного ~ 102 миллиона долларов (по данным iSuppli 2005).
Число внутренних VoIP-пользователей в мире, как ожидается, вырастет с ~ 5 млн в 2004 году до 200 млн. в 2010 году. Инфинеон предлагает производителям аппаратуры законченный комплект микросхем для VoIP приложений, дополненный полным набором компонентов для xDSL технологий.
На проходящей в Бостоне, США выставке Voice Over the Net (VON) - "передача голоса по сети" Инфинеон представил:

19.09.2005
BFP740 - новый радиочастотный транзистор Infineon Technologies со сверхнизким коэффициентом шума для беспроводных применений.
Мюнхен, Германия -31 августа 2005 г. - Infineon Technologies AG представила свой новый технологический процесс SiGe:C ( кремний - германий углерод) для производства недорогих высококачественных радиочастотных полупроводниковых приборов. Передовая SiGe:C технология является базовой для новейшего поколения биполярных транзисторов с гетеропереходом (так называемых HBT - транзисторов). Эта технология позволяет получить самый низкий в мире коэффициент шума биполярного транзистора на основе кремния 0.75 дБ на частоте 6 ГГц, при коэффициенте усиления до 19 дБ на 6 ГГц. Ранее подобные характеристики были достижимы только для более дорогих транзисторов на основе арсенида галлия (GaAs).
Новые SiGe:C транзисторы подходят для использования в разнообразных радиочастотных приложениях в частотном диапазоне свыше 10 ГГц, таких как малошумящие усилители, генераторы микроволнового диапазона, усилители общего назначения для различных беспроводных стандартов, включая WLAN (802.11a, b, g), WiMAX, UWB. Это также GPS устройства, мобильные телефоны, малошумящие входные цепи для спутникового телевидения и спутниковых вещательных служб, (например, таких как, XM Radio, Sirius, Digital Audio Broadcasting).
Новый транзистор имеет следующие основные характеристики: типовая граничная частота 42 ГГц, коэффициенты шума 0.5 дБ на 1,8 ГГц, 0,75 дБ на 6 ГГц, типовой максимальный стабильный коэффициент усиления по мощности Gms 28 дБ на 1,8 ГГц, типовой коэффициент усиления мощности 19 дБ на 6 ГГц, допускается работа на малых токах. Для приложений с требованиями по высокой надежности имеются исполнения с металлизацией золотом.
Уникальный технологический SiGe:C процесс Инфинеона позволил существенно уменьшить сопротивление базы полупроводниковой структуры, что и привело к уменьшению коэффициента шума транзистора.Кроме того новый процесс позволил существенно снизить паразитную индуктивность по земле, что в свою очередь привело к более высоким коэффициентам усиления на более высоких частотах, используя при этом стандартные пластмассовые корпуса.
Доступность и типы корпусов.
Серия BFP740 производится серийно и поставляется в трех исполнениях по корпусам: SOT343 (BFP740), TSFP-4 (BFP740F) и сверхминиатюрное безвыводное TSLP-3 (BFR740L3). Последний корпус имеет размеры 1х0,6х0,4 мм.
Более подробная информация эдесь.
На складе ЭФО имеются в наличие образцы для опробования.

12.08.2005
Выпущена Новая микросхема контроллера интеллектуального балласта для люминесцентных ламп ICB1FL01G от Infineon Technologies.

ИМС контроллера балласта предназначена для управления схемой балластов люминесцентных ламп, включая функции корректировки коэффициента мощности (ККМ) в режиме прерывающегося тока, управление схемой лампового инвертора и схемой драйвера высоковольтного полумоста со сдвигом уровня. Для построения схемы приложения требуется минимальное количество внешних компонентов, поскольку в состав микросхемы включены НЧ фильтры, схема компенсации для петли управления ККМ. Время предварительного нагрева, в пределах 0-2000 мс, устанавливается посредством одного резистора. Аналогично устанавливаются рабочая и частота разогрева.

Ключевые особенности:

• Минимальное количество внешних компонентов в ЭБ
• Высоковольтный драйвер по трансформаторной технологии без сердечника
• Повышенная надежность и минимальный разброс параметров благодаря сочетанию цифровых и аналоговых функций управления.

• Возможность коррекции коэффициента мощности (ККМ) в режиме прерывающегося тока
• Встроенная компенсация ККМ по управляющему контуру
• Регулируемое ограничение тока ККМ
• Регулируемое напряжение на шине ККМ

• Поддерживает повторный запуск после замены лампы и режим определения окончания срока службы лампы в многоламповых топологиях нагрузки
• Определение окончания срока службы (ОСС) лампы с возможностью регулировки порога в сторону увеличения/уменьшения
• Определение эффекта выпрямления, по отношению +/- амплитуды напряжения на лампе
• Определение различных емкостных режимов работы
• Регулируемая отсечка инвертора по токовой перегрузке
• Функция адаптации времени зажигания в пределах 25 -235 мс
• Параметры регулируются только резисторами
• "Зеленое" исполнение, без свинца, по требованиям RoHS

Концепция контроллера удовлетворяет требованиям для балластов ламп Т5, таким как определение окончания срока службы (ОСС) лампы, определение режима работы по емкости и другим защитным мерам даже при работе в многоламповых включениях

Микросхема выпускается в 18-выводном корпусе PG-DSO-18-1 размером 12,8х10,3х2,65 мм. В технической документации приведены варианты схем включения и необходимые расчетные формулы. Подробнее

15.07.2005
В разделе Статьи размещен обзорный материал по 32-разрядным микроконтроллерам Инфинеон TriCore

14.07.2005
ADSL 2+ GEMINAX MAX чипсет Инфинеона выбран для оборудования xDSL широкополосного доступа в Северной Америке.
Мюнхен/Германия и Чикаго/США - 7 июня 2005 года - Infineon Technologies объявил,что его чипсеты GEMINAX MAX™ и ConverGate™ выбраны компанией ADTRAN, одного из трех крупных производителей DSL оборудования в Северной Америке для использования в производимой ею DSLAM (DSL Access Multiplexer) аппаратуре. Эта аппаратура установлена у 9 ведущих провайдеров Северной Америки. Применение заложенной в GEMINAX MAX технологии ADSL2+ позволяет абоненту по обычной телефонной линии пользоваться Интернетом, принимать многоканальное телевидение, вести как обычные так и VoIP телефонные разговоры и все это одновременно благодаря скорости передачи данных до 24 Мбит/с.
Существующая тенденция миграции пользователей услуг из области широкополосной передачи данных к полным мультимедиа сервисам заставляет провайдеров внедрять DSL технологии. В США ожидают скачкообразного увеличения пользователей DSL услугами на 40% в 2005 году, а их количество достигнет 30 млн.человек к концу 2006 года. Существует также четкая тенденция приближения DSLAM портов к конечному пользователю (рост количества таких портов до33% в год).

Технические детали GEMINAX MAX и ConverGate чипсетов.

GEMINAX MAX это 8-канальное ADSL/ADSL2 и ADSL2+ решение для оборудования, размещаемого на районных АТС, а также DSLAM, DLC (Digital Loop Carrier) оборудования. GEMINAX MAX обеспечивает нисходящий поток данных со скоростью до 24 Мбит/с по каждому из 8 каналов и полную поддержку новейших международных стандартов по ADSL, ADSL2, и ADSL2+ с многочисленными Дополнениями.
ConverGate сетевой процессор из Инфинеоновского семейства АТМ и Интернет коммуникационных процессоров особенно подходит для сопряжекния xDSL траффиков на IP-DSLAM линейных картах с быстрым или Гигабитным Интернет бэкплэйном (backplane).Имеет гибкую мультипроцессорную архитектуру и быстрые интерфейсы, что позволяет поддерживать существующие и развивающиеся стеки протоколов и быть основой для предоставления дополнительных услуг, таких как передача видео через сеть широкого вещания, VPN сети (частные виртуальные сети) и VLAN (виртуальные локальные сети).

Подробнее

13.07.2005
Инфинеон выпускает первый в мире референс дизайн для ультра дешевых мобильных телефонов с себестоимостью изготовления менее $20.

Мюнхен, Германия- 13 июля 2005 - Infineon Technologies AG сегодня объявил о доступности образцов референс - дизайна для ультра дешевых мобильных телефонов. Используя новую ULC (Ultra Low Cost) платформу, которая базируется на однокристальном GSM решении, можно снизить себестоимость изготовления GSM телефонов с SMS функциональностью с $35 до $20. Это стоимость мобильного телефона в целом, включая все электронные компоненты, печатную плату, соединители, корпус с клавиатурой и дисплеем, программное обеспечение, аккумулятор, зарядное устройство, упаковку и документацию.
Новая платформа укомплектована всеми электронными и программными компонентами, необходимыми для двухдиапазонных мобильных телефонов GSM900/1800 и GSM850/1900 стандартов. Она включает однокристальный GSM радиочастотный чип, источник питания, память, операционную систему, драйверы, стек GSM протокола и оценочный человеко-машинный интерфейс MMI для простого и интуитивного управления телефоном и SMS сообщениями. Массовое производство запланировано на первый квартал 2006,что означает, что ULC мобильные телефоны могут появиться на прилавках магазинов несколько месяцев спустя.
В настоящий момент в мире наметился рост потребностей в ULC мобильных аппаратах. Всего по оценкам в мире насчитывается около 1,8 миллиарда мобильных абонентов. Многие пользователи предпочитают иметь в телефоне только возможность разговора и SMS функции и обращают мало внимания на наличие приложений типа фото камера, видео возможности, web браузер, музыкальный плеер и игры. Для этих пользователей и предназначены ULC мобильники.
В то же время в мире в районах, имеющих покрытие базовыми мобильными станциями проживает порядка 3,5 миллиарда человек, которые не могут позволить себе мобильный телефон.
Американская маркетинговая компания Strategy Analytics прогнозирует продажу около 150 млн ULC GSM мобильников с ценой менее $50 в год к 2010 году
На сегодняшний день стандартный GSM телефон с SMS содержит от 150 до 200 электронных компонентов. Телефон на базе новой платформы Инфинеона содержит около 100 компонентов, размещенных на площади 3смх3см, т.е. на одной трети используемой сегодня.
Новая высоко интегрированная платформа позволяет удешевить производственные процессы изготовления мобильных телефонов. Например, компоненты размещаются только на одной стороне печатной платы, что существенно снижает время на проведение калибровочных тестов (с 60 до 1 сек), упрощается также логистика компонентов.
Потребляемая мощность новой платформы снижена настолько, что позволяет использовать в качестве источника питания никель-металл-гидритную (NiMH) батарею из элементов ААА типа, при этом время ожидания составит более 10 дней, а время разговора более 4-х часов. Платформа поддерживает черно-белые и цветные дисплеи, а также различные голосовые кодеки, такие как Enhanced Full Rate (EFR), Full Rate (FR), Half Rate (HR), and Adaptive Multi-Rate (AMR).
Платформа состоит из микросхем: E-GOLDradio (PMB 7870), E-Powerlite (PMB 6814).
Подробнее информацию по новой GSM платформе можно посмотреть PDF.
а также на: www.infineon.com/wireless

08.07.2005
Первый в мире однокристальный КМОП 6-диапазонный приемопередатчик от Инфинеон для нового поколения UMTS мобильных телефонов.

Мюнхен, Германия/Лонг Бич, США - 14 июня 2005 - на проходившей в Лонг Бич Международном Микроволновом Симпозиуме Infineon Technologies представил первые в мире образцы однокристальных КМОП приемопередатчиков разработанных специально для UMTS (Universal Mobile Telecommunications System) приложений. Новая микросхема, названная SMARTi 3G (PMB5701), первый приемопередатчик радиочастотного диапазона, поддерживающий 6 несущих частот стандарта UMTS, предназначенного для мирового применения. UMTS телефоны на базе SMARTi 3G могут быть использованы в Европе, Азии, Северной Америке, Японии.
SMARTi 3G первый кристалл, поддерживающий спецификацию HSDPA (High Speed Downlink Packet Access), обеспечивает передачу данных от базовой станции к мобильному устройству со скоростью до 7.2 Мбит/с. Скорость передачи данных существующих на настоящий момент UMTS телефонов, не поддерживающих HSDPA, составляет 384 кбит/с. Кроме того, габаритные размеры новой микросхемы 5х5 мм, что на 30% меньше размеров выпускаемой Инфинеоном микросхемы однодиапазонного UMTS приемопередатчика SMARTi U.
SMARTi 3G выпускается в корпусе PG-WFSGA (Very Very Thin Fine Pitch Semiball Grid Array), имеющем 81 вывод с шагом 0,5 мм .Напряжения питания от 2,7 до 3,0 вольт.
SMARTi 3G сейчас доступна в виде образцов, серийный выпуск планируется на начало 2006 года. В настоящее время несколько производителей мобильных телефонов уже работают с этим кристаллом в своих проектах.
Подробнее »» (pdf)

04.07.2005
Бесконтактные смарт чипы Инфинеона в новом немецком паспорте

17.05.2005
Появилась возможность заказать второй CD диск с технической информацией на полупроводниковые компоненты Инфинеон: "Проводные телекоммуникации. Путеводитель по компонентам для аппаратуры доступа". На диске приведена справочная информация объемом 200Mb.
Содержание диска приведено на страничке заказа.

05.05.2005
На предстоящей 10-12 мая в Нюрнберге, Германия выставке Sensor 2005 Инфинеон представляет два новых датчика:TLE4953C, датчик скорости вращения трансмиссии на основе эффекта Холла в тонком 2-х выводном корпусе; KP125, миниатюрный датчик абсолютного давления емкостного типа.

TLE4953C

Это новый дифференциальный датчик на основе эффекта Холла в плоском 2-х выводном корпусе с интегрированным конденсатором обеспечивает токовый выход 7/14 мА. Новые функции: возможность определения направления вращения, подавление вибрации, реализуются посредством интегрированной обработки сигналов. Токовый интерфейс позволяет определить состояние обрыва проводов, дает экономию в проводах благодаря использованию всего двух проводов для передачи сигналов и питания датчика. Области применения: автомобильные трансмиссии, ABS системы, системы контроля скорости вращения. Микросхема выпускается серийно.

Подробнее: PDF

KP125

Воздушное барометрическое давление очень важный параметр необходимый для вычисления состава топливовоздушной смеси и угла опережения зажигания в системах управления двигателям и повышения его к.п.д. В автомобильных приложениях с их большими объемами производства, велик интерес к прецизионным, недорогим и полностью интегрированным сенсорам. Всем этим требованиям удовлетворяет новая разработка Инфинеона датчик KP125. Целевая область применения этой микросхемы:

электронные системы управления бензиновыми и дизельными двигателями.

Подробнее: PDF

03.05.2005
Мюнхен,Германия -18 апреля 2005- Infineon Technologies анонсировал три новых высокоинтегрированных платформы для проводных устройств доступа и мобильных телефонов:

• Samurai™ - контроллеры Интернет коммутатора
• EASY5120 платформа маршрутизатора VoIP для передачи голоса поверх IP и беспроводной маршрутизации в локальных сетях (LAN) оборудования, устанавливаемого у пользователя (CPE)
• Новая MP-E мультимедиа телефонная платформа, поддерживающая сотовые стандарты GPRS and EDGE .

Samurai™

Это семейство из 5 микросхем: четыре микросхемы 6-портовых контроллеров ADM6996LC, ADM6996FC, ADM6996I, ADM6996M и одна микросхема 5-портового контроллера ADM6995LC.
Область применения: устройства для домашних сетей, включающие в себя недорогой 5- и 6- портовый Интернет коммутатор уровня 2 (Layer 2).Ключевые характеристики: QoS (Quality of Service) функциональность (качество обслуживания), а также программно-аппаратное включение IGMP (Internet Group Management Protocol). Это позволят получить улучшенную системную стабильность для модемов и шлюзов и повысить качество передачи голоса поверх IP, и видеопотоковой информации. Кроме того, благодаря улучшенным характеристикам защиты коммутаторов, включающим зеркалирование портов (Port Mirroring) и функции доступа к таблице МАС (MAC Table Access),обеспечивается безопасная работа в Интернет и передача голоса.
Samurai подходит для любого вида так называемых Интегрированных устройств доступа (IAD) от ADSL машрутизаторов до Домашних шлюзов, а также для офисных применений.
Согласно исследованиям рынка фирмы In-Stat (февраль 2005) объем рынка микросхем для приложений типа домашние сети имеет тенденцию к росту с 24 миллионов штук в 2004 году до порядка 110 миллионов в 2009 году.
Подробнее...

EASY5120

Платформа построена на передовых компонентах Инфинеон: VINETIC голосовом процессоре, поддерживающем мультистандартные-кодеки, микросхеме сетевого процессора ADM5120, имеющем интегрированные функции коммутатора и маршрутизатора, а также модуле беспроводной сетевой карты на базе WildCard-G (802.11g). Платформа EASY5120 совмещает в себе функции VoIP, проводной маршрутизации с сертифицированной инфинеоновской технологией WiFi (беспроводных сетей). Используя эту платформу Интернет- провайдеры могут увеличить свои обороты, предлагая пользователям VoIP сервисы домашних беспроводных сетей.
Подробнее...

MP-E мультимедиа платформа

Новая платформа содержит все необходимые программно- аппаратные компоненты для высококачественного мобильного телефона с расширенной мультимедиа функциональностью, включая потоковое видео, видео запись и воспроизведение (MPEG4).В состав чипсета, состоящего из 3-х микросхем, интегрирован GPRS/EDGE модем.Этот комплект позволят построить одну из самых компактных в отрасли плату для мобильных телефонов. Имеется референс- дизайн платформы с модемом на базе ARM9, радиочастотной микросхемой Инфинеона S-GOLD2T и интегрированым Ява акселератором.
Помимо GSM and GPRS стандартов платформа поддерживает EDGE с EGPRS класс12 со схемой кодирования MCS 1 - 9, что позволяет получить скорость передачи данных до 236 kbit/s в пакетном переключаемом режиме.
Мультимедийная платформа поставляется в комплекте со стеком протокола и прикладной оболочкой.
Мобильные телефоны на базе этой платформы ожидаются в продаже в 1 квартале 2006 года.

26.04.2005
Мюнхен, Германия и Фремонт США-7 апреля 2005- Infineon Technologies AG и Exar Corporation сегодня пришли к соглашению, по которому EXAR приобретает существенную часть бизнес - подразделения Инфинеона по производству компонентов для оптических сетей. Приобретение включает в себя имущество, касающееся производства компонентов для мультискоростных TDM фрэймеров, оптических каналов поверх SONET/SDH, динамического пакетного кольца (RPR), а также интеллектуальной собственности по компонентам для передачи данных поверх SONET.Передача ожидается в ближайшее время.

За Инфинеоном остается семейство MetroMapper™ - Интернет поверх SONET (для продолжения поддержки имеющихся клиентов).

Эта сделка, последовавшая за продажей существенной части оптической бизнес группы Финисару, дальнейшее подтверждение намерений Инфинеона реструктуризировать свой бизнес, сконцентрировавшись на рынках беспроводных и широкополосных коммуникаций.

31.03.2005
Мюнхен, Германия - 31 марта 2005 - Infineon Technologies AG анонсировала самый компактный и экономичный в отрасли ADSL2+ чипсет GEMINAX PRO. Этот набор микросхем включает в себя 16-канальную ADSL2+ микросхему Цифрового Входного Окончания (Digital Front End-DFE) и 4-канальную Аналогового Входного Окончания (Analog Front End - AFE), включающую в себя линейные драйверы с низким потреблением, работающие в режиме D. Благодаря принятым техническим решениям чипсет GEMINAX PRO позволяет снизить потребляемую мощность, габариты и стоимость системы на его основе до 30% по сравнению с используемыми в настоящее время аналогичными чипсетами. Это преимущество особенно актуально для удаленных автономных телекоммуникационных устройств.

Сравнительно высокая потребляемая мощность, потребляемая ADSL2+ линейными драйверами доступных на сегодня чипсетов, ограничивает степень интеграции до 2-х каналов на микросхему. Инфинеон применил в драйверах ключевой режим (D- класс), что позволило снизить потребление в 2 раза, доведя его до 350 мВт на канал. Это в свою очередь позволило разместить в одной микросхеме аналогового входа 4 драйвера линии.

Согласно последним отчетам DSL Форума, DSL технологии доминируют на существующих медных линиях рынка широкополосного доступа, занимая долю около 65%. Из этих 65% (а это около100 миллионов линий) ADSL и ADSL2+ системы составляют 90%. ADSL2+ технология совместима вниз с ADSL, что позволяет сделать плавный переход к DSL сетям нового поколения (NGN - сетям). Существующее на сегодняшний день пользовательское ADSL оборудование (размещенное, например, дома) может быть просто подключено к модернизированным до стандарта ADSL2+ системам районных АТС.

По данным аналитиков iSuppli доля Инфинеона на рынке ADSL инфраструктуры поднялась на 6 пунктов за 2004 год и составила 14 %. iSuppli предсказывает, что в 2005 году будет продано 50 миллионов ADSL чипсетов и большая часть их будет ADSL2+.

В 2005 году прогнозируется рост на 14%, а технология ADSL2+ станет технологией выбора мировых провайдеров.

О чипсете GEMINAX PRO

Состав: 16-канальная микросхема Цифрового Окончания (DFE)- GEMINAX- D16 PRO, и 4-хканальная микросхема Аналогового Окончания (AFE) с 4 встроенными драйверами линии - GEMINAX-AL4 PRO. Комплект всего из 5 микросхем -1 GEMINAX- D16 PRO и 4 GEMINAX-AL4 PRO -позволяет получить 16-канальную ADSL2+ систему. GEMINAX PRO позволяет достичь плотности монтажа до 500 кв. мм на 1 канал.

Область применения нового чипсета DSLAM оборудование АТС, DLC оборудование, Мультисервисные платформы доступа (MSAP). Новый чипсет раширяет известное семейство GEMINAX MAX и поддерживает стандарты: полноскоростной ADSL (G.992.1), ADSL-lite (G.992.2), ADSL2 (G.992.3), ADSL2-lite (G.992.4) and ADSL2+ (G.992.5). GEMINAX PRO программно совместим с GEMINAX MAX ADSL2+ чипсетом.

Для приложений типа IVD (интегрированные голос и данные) GEMINAX-PRO ADSL2+ может быть усилен кодеками семейства VINETIC или IEC-4 ISDN приемопередатчиками. Для построения законченных end-to-end систем разработчики могут использовать DSL сетевой процессор Инфинеона ConverGate и микросхемы семейства Amazon (для абонентской части системы).

GEMINAX -D16 PRO размещен в PG-LBGA-484 корпусе размером 23x23mm, GEMINAX-AL4 имеет корпус PG-BGA-192 (13x17mm).

Образцы будут доступны в мае, Серийные поставки планируются на 3 квартал 2005 года. Цена нового чипсета в единичных количествах порядка $6 долларов за линию.

24.03.2005
В разделе статьи добавлена обзорная статья "Компоненты Инфинеон для автомобильного применения".

11.03.2005
Инфинеон расширяет линейку 16-разрядных микроконтроллеров семейства ХС16х. Новые микроконтроллеры для промышленных приложений оптимизированы по критерию цена/характеристики.

Сан Франциско, Калифорния - 8 марта 2005 - на конференции по встроенным си стемам Infineon Technologies представила новую линейку микроконтроллеров своего успешного семейства XC16x. Обладая набором характеристиками и периферийными функциями, оптимизированными для таких индустриальных приложений как робототехника, сетевые системы и электрические приводы, новые микроконтроллеры способны заменить своих 32-разрядных собратьев, которые сейчас используются для этих целей. Это позволит снизить стоимость системы до 30%. Цена новых микроконтроллеров в массовых количествах около 5 долларов.

Выпуском этих компонентов Инфинеон усиливает свои позиции на мировом рынке микроконтроллеров общего назначения, который по прогнозам будет расти с темпами до 60% при объеме порядка 22 млрд.долларов в год в ближайшие 4 года (источник: Gartner, ноябрь 2004).

Технические характеристики XC164S/D/N

Новое семейство микроконтроллеров, получивших обозначение XC164S/D/N, включает 12 однокристальных КМОП микроконтроллеров. Имея тактовую частоту 20/40 МГц, ХС164 достигает производительности 40 MIPS. В дополнение к набору специальных характеристик, ориентированных на управление приводами, XC164S имеет 10-разрядный АЦП на 14 мультиплексируемых входных канала для поддержки быстрого сбора данных. XC164D содержит TwinCAN модуль, который автономно управляет приемом передачей CAN кадров в соответствие со спецификацией V2.0 часть В (активный). Все микроконтроллеры семейства совместимы по выводам.

Архитектура XC164S/D/N содержит 5 ступенчатый конвейер с 2-х ступенчатым конвейером извлечения инструкций,16 разрядное АЛУ, 32-/40-разрядный МАС и регистровый файл, обеспечивающий 3 регистровых банка. Блоки захвата - сравнения (CAPCOM) поддерживают генерацию и управление временными последовательностями по 32 каналам и стандартно используются для управления такими задачами быстрого ввода /вывода как генерирование импульсных и гармонических сигналов, ШИМ, программная синхронизация.

Как и все XC16x микроконтроллеры, новое семейство содержит отладчик на кристалле (OCDS), для обеспечения быстрого цикла разработки и отладки систем, а также набор средств разработки. Имеется блок управления прерываниями, схема тактового генератора с ФАПЧ. Объем встроенной флэш- памяти 64Кб или 128 Кб в зависимости от модификации.

Области применения: считыватели смарт - карт, системы безопасности, бытовая электроника, интеллектуальные здания, офисное оборудование, такое как принтеры и копиры, весы и управление конвейерами в промышленности.

01.03.2005
Новые микроконтроллеры Инфинеон с флэш-памятью. Подробнее

17.02.2005
Добавлено два новых раздела "Продукция" и "Статьи". В разделе статьи размещены материалы по микроконтроллерам Инфинеон.

16.02.2005
Корпорация IDT анонсировала выпуск новых микросхем 5T93GL04 и 5T93GL02 в подгруппе усилителей-распределителей тактовых сигналов с LVDS выходами (семейство Fan-out Buffers). Устройства представляют собой буферы с коэффициентами разветвления по выходу 1:4 и 1:2 соответственно. Новые кристаллы обеспечивают передачу тактовых сигналов с частотой до 450МГц. Усилители-распределители 5T93GL04 и 5T93GL02 вносят задержку, не превышающую 2.2нс, при разбросе не более 50пс между отдельными каналами. Тактовые входы микросхем совместимы с 2.5В/3.3В LVTTL, HSTL, eHSTL, LVEPECL (2,5В), LVPECL (3,3В), CML и LVDS. Устройства предназначены для работы в индустриальном температурном диапазоне при напряжении питания 2.5В, выпускаются в корпусах TSSOP.

09.02.2005
E-GOLDradio микросхема - интегрированная GSM/GPRS платформа от Инфинеона для мобильных телефонов.

Мюнхен, Германия - 8.02.05 - Infineon Technologies AG представила свой новый E-GOLDradio чип, (PMB 7870), который совмещает в себе функции двух выпускаемых компанией микросхем для GSM/GPRS телефонов. На одном кристалле размещена схема двухдиапазонного приемопередатчика и управляющего процессора. Все это занимает площадь менее 4 см2 ,что на 30%меньше, чем суммарная площадь двух заменяемых кристаллов. Это наиболее интегрированная в мире платформа в настоящее время.

Новая базовая платформа, названная BP3, содержит все аппаратные и программные средства, необходимые для мобильного телефона: схему управления питанием, фильтр, усилитель мощности, память, а также стэк GSM/GPRS протокола, прикладную оболочку APOXI (Application Programming Object-oriented Extendable Interface) с базовым человеко-машинным интерфейсом.

E-GOLDradio позволит снизить на 30% стоимость материалов, необходимых для мобильного телефона, уменьшить его габариты .Он особенно подходит для создания недорогих мобильных телефонов среднего класса, где он позволяет обеспечить дополнительные пользовательские функции (фотокамера, двойной дисплей, полифония, MP3 проигрыватель) без использования дополнительных микросхем.

Технические детали. Новая микросхема функционально заменяет две серийно выпускаемые микросхемы - E-GOLDlite (PMB 7860) и SMARTi SD2 (PMB 6270). Поддерживает GPRS class 12. Размер корпуса 9х9 мм.

Начало серийного производства запланировано на конец 2005 года

24.01.2005
Появилась возможность заказать CD диск с технической информацией на полупроводниковые компоненты Инфинеон: "Силовые компоненты Инфинеон". На диске приведена справочная информация объемом >80Mb.

Приведены в виде PDF документов оригинальные даташиты, руководства по применению, каталоги по выбору популярных силовых транзисторов и микросхем для автомобильного и промышленного применения. Рабочие диапазоны: Напряжение до 1200В, токи до 300А.

Содержание диска приведено на страничке заказа.

30.12.2004
Мюнхен, Германия - 16 декабря 2004 - Infineon Technologies AG пересматривает схему управления компанией с целью создания более коротких и быстрых путей принятия решений внутри компании, усиления ориентации на потребителя, повышения эффективности бизнеса. Изменения вводятся в действие с 1 января 2005 года.

Перераспределяются направления ответственности внутри исполнительной дирекции.

Один из членов дирекции становится председателем управления всех трех вновь сформированных бизнес групп. Группы Беспроводных и Проводных коммуникаций сливаются в одну новую бизнес - группу Коммуникации. В то же время активы направлений безопасность и смарт - карты будут включены в расширенные группы

Автомобильная и Мульти-Рыночная (Multi-Market). Новые бизнес - группы и бизнес - отделения будут наделены всеми функциями и полномочиями, необходимыми для статуса " компания в компании". Старая сложная матричная структура управления, базировавшаяся на функциональном принципе, заменяется как не соответствующая сегодняшним размерам предприятия.

Пересматривается организация продаж, ранее централизованная, она разбивается на три направления в соответствие с бизнес - группами: Автомобильная, Промышленная и Мульти-Рыночная, Коммуникации и Компоненты памяти. Таким образом, продажи тесно интегрируются с разработкой и производством. Дистрибуция будет продолжать работать как независимый канал продаж с повышением ответственности менеджеров.

29.12.2004
Мюнхен, Германия - 9 декабряя.2004 - Infineon Technologies AG ведущий в мире поставщик микросхем для телекоммуникационных систем передачи уровня Т/Е несущих представил микросхему OctalFALC, самый маленький в отрасли FALC (фрэймер и линейный интерфейсный компонент), содержащий 8 портов на одном кристалле. Эта микросхема позволит в 2 раза уменьшить площадь печатной платы универсальной линейной карты в расчете на канал и на 15% снизить стоимость материалов и комплектующих. OctalFALC рассчитан на растущий рынок передачи голосовых и мультимедийных данных по стационарным и беспроводным сетям; в 2003 году только голосовой мировой трафик составил 200 миллиардов минут. В среднем в мире 75% из 19 миллионов базовых станций сотовой связи, используемых для передачи голоса и данных, сделаны на микросхемах Инфинеона.

Основные характеристики OctalFALC: 8 портов на одном кристалле в корпусе Plastic Low Ball Grid Array (PG-LBGA-256) размером 15х15 мм. Способность работы от любого доступного источника тактовой частоты в диапазоне от 1.02 to 20MHz, а также способность программного переключения между T1/E1 and J1 режимами работы позволяет создавать устройства с одним интерфейсом для всех трех мировых стандартов первичных уровней иерархии цифровых каналов. Источники питания 3.3В и 1,8В, способность работать на длинные и короткие T1/E1 и J1 линии. Диапазон рабочих температур -40°C : +85°C. OctalFALC поддерживается средствами разработки - оценочным набором EASY22558 Evaluation kit с программным обеспечением и документацией. Цена в промышленных количествах составляет 35 долларов, доступны образцы.

Применение. Линейные T1/E1 карты с удвоенной пропускной способностью при тех же габаритах, 2G/3G базовые станции беспроводных сетей доступа, DSLAM (DSL мультиплексоры доступа), системы перекрестной цифровой коммутации доступа, DLC (Digital Loop Carrier) системы.

Недавно выпущенный отчет о рыночном исследовании фирмы Gartner Dataquest прогнозирует 10% среднегодовой рост ввода T1/E1 портов в мире, вызываемый главным образом расширением предлагаемых услуг по 3G мобильным сетям- таких как SMS, передача изображений, и даже видео.

09.12.2004
Инфинеон расширяет свое присутствие в Азии - новое производство полупроводниковых чипов для автомобильной и промышленной электроники в Малайзии.

Мюнхен, Германия - 8 декабря 2004- Infineon Technologies объявила о планах строительства новой полупроводниковой фабрики в Технопарке Кулим Малайзия. Фабрика будет производить в основном силовые и цифровые чипы, используемые в автомобильной и промышленной областях. Компания объявила, что она намерена вложить в данный проект около 1 миллиарда долларов. Начало строительства планируется в первом квартале 2005 года, окончание через год. При полной загрузке на заводе будет работать 1700 человек.

Новый завод пополнит уже существующие мощности по производству компонентов, не принадлежащих к разряду микросхем памяти (память - составляла в 2003 году до 40% объема выпускаемых микросхем), которые расположены в Мюнхене, Регенсбурге, Виллахе и Дрездене, а также Эссене, Франция.

Благодаря стремительному внедрению электроники в автомобили и продолжающейся тенденции замены электромеханических компонентов на полупроводники мировой рынок автомобильной электроники будет расти с темпом до 10 процентов в год в последующие несколько лет. Согласно исследованиям рынка , проведенным компанией Strategy Analytics (май 2004), объем рынка автомобильной электроники в 2003 году в денежном выражении составил 13,3 млрд. долларов,что составило на 14.1% больше чем в 2002 году (11.5 млрд.рублей). Инфинеон занимает 1 место в Европе по производству полупроводников для автомобилей с долей рынка 15%.

09.12.2004

Самый миниатюрный в мире транзистор на углеродных нанотрубах.

Мюнхен, Германия-22 ноябряя. 2004 года. Infineon Technologies объявила о создании в своей исследовательской лаборатории самого маленького в мире транзистора на основе углеродных нанотруб с длиной канала всего 18 нм, что более чем в 4 раза меньше, чем для существующих на настоящий момент подобных структур.

Для получения такого транзистора исследователи вырастили в управляемом технологическом процессе углеродные нанотрубы диаметром от 0,7 до 1,1 нм. Для примера человеческий волос имеет диаметр 100000 раз больший.

Характеристики углеродных нанотруб делают их идеальным материалом для многих микроэлектронных приложений: трубы проводят электрический ток почти без трения о свою поверхность благодаря так называемому "баллистическому" механизму переноса электронов и поэтому способны пропускать токи в 1000 раз большие чем медный провод. Более того, они могут быть как полупроводником так и проводником. Инфинион - первая компания которая продемонстрировала как вырастить нанотрубы с заданным расположением в пространстве и как получить на их основе транзистор, способный управлять значительными токами.

Изготовленный нанотрубный транзистор может работать с токами до 15 мкА при питающих напряжениях только 0,4В (сейчас норма для таких структур 0,7 В). Достигаемая плотность тока в 10 раз выше чем для кремниевых приборов.

На основе полученных экспериментальных данных ученые Инфинеона планируют в скором времени достичь рабочих напряжений в 0,35 В, что по прогнозам ожидалось к 2018 году.

15.11.2004
На проходившей 18 октября 2004 года в Детройте (США) конференции по автомобильной электронике Infineon Technologies объявил о новом семействе силовых МОП транзисторов OptiMOS-T и верхних интеллектуальных ключей семейства PROFET. Силовые транзисторы этих семейств выполнены по усовершенствованной технологии, так называемой технологии изготовления МОП транзисторов с травлением (trench power technology).

Основная цель новой технологии - снижение сопротивления канала силового транзистора (Rdson) при сохранении такого же, как и для стандартной планарной технологии пробивного напряжения. Первый представитель этого семейства - N -канальный IPB100N06S3L-03 имеет сопротивление канала во включенном состоянии 2.7 миллиом при рабочих напряжениях до 55В, корпус D2PAK. Полный ряд транзисторов этого семейства с диапазоном сопротивления канала от 2,7 до 25 миллиОм будет объявлен до конца года

Все компоненты семейства OptiMOS-T относятся к группе "зеленых" продуктов, т.е. не содержат свинца, и вредных химических элементов в материале корпуса, Они выдерживают пиковую температуру пайки 260°C, и обладают повышенной устойчивостью к термоциклированию (более 1000 циклов в соответствии с требованиями к автомобильным компонентам Automotive Electronics Council AEC Q 101).

Инженерные образцы 55V OptiMOS-T компонентов в корпусе D2PAK доступны сейчас,

В промышленных количествах будут доступны с середины 2005 года. Другие группы по рабочим напряжениям этого семейства находятся в разработке. Транзистор OptiMOS-T в корпусе D2PAK на рабочее напряжение 55В, с сопротивлением канала 5 миллиОм стоит $0,9 (в количествах 10000 штук)

Силовые ключи семейства PROFET

Инфинеон расширил также свое семейство многоканальных верхних ключей PROFET, добавив ключи, изготовленные по новой технологии, назвав это пятое поколение интеллектуальных ключей SMART5 PROFET. Ключи этой серии включают в себя как силовой транзистор, так и встроенную логику защиты ключа и его нагрузки.

Типовая область применения новых ключей это автомобильные модули управления светом, где все еще широко применяются реле и электромеханические ключи. Применение ключа вместо реле позволит существенно расширить возможности управления светом, увеличить срок службы ламп ("мягкий старт"), снизить рассеиваемую мощность, улучшить защиту, уменьшить площадь печатной платы, снизить стоимость.

В дополнении ко всему SMART5 интеллектуальный ключ позволит определить и сигнализировать о выходе лампы из строя. Принятый микроконтроллером сигнал о неисправности лампы позволит оперативно заменить её подходящей исправной. Например, вышедшая из строя лампа торможения может быть временно заменена лампой поворотника .

Доступность. Первые 10 типов ключей SMART5 PROFET доступны уже сейчас. В зависимости от числа каналов они выпускаются в различных корпусах: SO-14; SMD-12 power package; SO-20; and SO-28. Цены в количествах 10000 штук от 0,9 $ для ключа BTS 5230GS (2х140 миллиОм) до 3,89 $ за ключ BTS 5441G ( 4х25 миллиОм).

Дальнейшая информация на www.infineon.com/smart5

09.11.2004
Мюнхен/Германия и Бостон/США - 15 Октября 2004 - - Infineon Technologies AG ведущий производитель компонентов для аппаратуры голосового доступа представил на выставке "Голос По Сети" (Voice Over Net), проходившей в Бостоне, широкий спектр высоко интегрированных полупроводниковых решений для передачи голоса по Интернет протоколу (VoIP).

По данным отчета июля 2004 года TelecomTactics, исследовательского института, изучающего рынок VoIP, доля новых телефонных систем поддерживающих IP возросла с 20% в 1999 году до 100% в 2004 году.

Интеграция голоса и данных в одной сети снижает стоимость расходов пользователя в частности при использовании поддержки нескольких голосовых каналов для нескольких пользователей по одной телефонной линии. Отпадает также необходимость поддержания операторами отдельной сети для передачи данных.

Инфинеон представил на своем стенде следующие решения:

1. Программный пакет для расширения возможностей IP - телефонов.

Новый программный пакет LAN Phone SIP Software Package 1.0 дополняет возможности микросхемы INCA-IP для получения полноценных IP-решений.

Поддерживает все стандартные TCP/IP сетевые протоколы на уровне plug-and-play, поддерживает также конфигурирование IP-телефонов посредством Web.Специальные голосовые модули - основные компоненты программного обеспечения - включают в себя адаптивный джиттерный буфер, VoIP сигнальный протокол, расширения для поддержки функций типа прямой вызов, прокси-мршрутизированный вызов, регистрация, Caller ID, Call on Hold, Call Transfer, Call Forwarding, Media Transfer Protocol и т.п.

2. Полупроводниковые компоненты для адаптации традиционных телефонных аппаратов к цифровым технологиям.

Представлен референс дизайн для Аналогового Телефонного Адаптера (АТА), который позволяет превратить традиционный телефонный аппарат в цифровую VoIP платформу.

Комбинация сетевого контроллера ADM5120P с микросхемой семейства VINETIC позволяет получить законченное SOHO решение для офиса пользователя. Устройство обеспечивает два аналоговых телефонных интерфейса, четыре LAN интерфейса для РС, принтера, и т.п., а также один WAN (беспроводный интерфейс), один PSTN и два USB интерфейса.

3. Новый чипсет для абонентской линейной карты (SLIC), оптимизированный для применения в составе пользовательского оборудования.

Новый чипсет Инфинеона SLIC-DC это усовершенствованный SLIC (с функцией вызова) с встроенным DC/DC преобразователем. Для SLIC-DC необходим только один внешний источник питания (вместо традиционных 3-5 штук). Это позволяет до 20% сократить количество компонентов на плате VoIP аппаратуры.

19.10.2004
Мюнхен/Германия и Сан Хосе/Калифорния, США - 12 октября 2004 - Infineon Technologies AG и Global Locate объявили сегодня о завершении совместной разработки-микросхемы однокристального приемника с функциями GPS -Assisted Global Positioning System (A-GPS)-, предназначенного для применения в мобильных телефонах, карманных компьютерах и другой мобильной аппаратуре. Новый чип, названный Hammerhead, включает в себя GPS функции, позволяющие внедрить в мобильные телефоны сервисы, связанные с определением местоположения а также взаимодействие с аварийными службами. Чип базируется на фирменной технологии Global Locate's IndoorGPS, которая предполагает возможность работы в условиях больших городов с многоэтажной застройкой (глубокие "колодцы" между зданиями), в движущихся автомобилях, и даже внутри помещений. Global Locate внесла вклад в разработку схемотехники обработки сигналов GPS диапазона, программного обеспечения для A-GPS технологии. Инфинеон со своей стороны разработал радиочастотную часть, объединил все в систему, разработал технологический процесс изготовления. Компании планируют совместно продавать Hammerhead.

Устройства на базе новой A-GPS микросхемы способны принимать GPS сигналы в 1000 раз слабее по уровню чем сигналы имеющиеся на свободном пространстве ,так называемые "open sky" сигналы. Это стало возможным благодаря применению метода Assisted GPS- "совместного" GPS, в котором мобильный телефон обменивается GPS данными не со спутниками, а со своими базовыми станциями, имеющими GPS поддержку. Это позволяет не только резко повысить чувствительность приема GPS сигналов , но и уменьшить до 1-2 секунд время получения навигационной информации. Новый чип оптимизирован для применения в составе мобильной аппаратуры. Он потребляет очень малую мощность и имеет размер 7х7 мм.

Потребность в мобильных телефонах с поддержкой GPS обусловлена законодательными требованиями в некоторых странах.

В США в соответствии с предписанием Е911 Федеральной комиссии по связи (Federal Communications Commission) каждый мобильный оператор обязан к концу 2005 года обеспечить аварийным службам возможность определения местоположения звонков, адресованных с мобильных телефонов. В Японии все новые мобильные телефоны третьего поколения, которые поступят в продажу после апреля 2007, должны обязательно поддерживать GPS функции аварийных служб.

В 2008 году прогнозируют мировой объем продаж мобильных телефонов в 780 млн. штук, причем каждый четвертый из них будет поддерживать GPS.

Технические подробности чипа Hammerhead. Чип Hammerhead имеющий маркировку PMB2520, включает в себя все функции, необходимые для поддержки приемника сигналов по методу A-GPS,а также поддерживает режимы "совместная работа с мобильной станцией" (MS-A режим), "совместная работа с мобильной базовой станцией" (MS-В режим), режимы автономной и следящей работы. Чувствительность приемника составляет -161дБм (децибел/милливатт). Уникальная архитектура чипа, оптимизирована для мобильного применения и не требует применения дополнительной RAM или ROM памяти. Чип спроектирован по 0,132 мкм технологическому процессу, помещен 48-выводный сверхтонкий VQFN (Very thin Quad Flatpack Non-leaded) корпус.

Infineon и Global Locate планируют выпустить образцы в первом квартале 2005 года. Цена на PMB2520 в количествах тысячи штук составит 6,5 Евро.

01.10.2004
Вульсбург/Мюнхен, Германия - 27 сентября,2004 года - Инфинеон (Infineon Technologies) и Фольксваген совместно разработали концепцию платформы для беспроводных телекоммуникаций, которая предназначена для использования в составе информационных систем автомобилей. Целью кооперации была разработка масштабируемой телефонной и телематической платформы, которая предоставляет дополнительные телематические сервисы, ранее доступные только в автомобилях люкс класса по цене стандартных автомобильных телефонных систем. Фольксваген и Инфинеон позиционируют платформу на рынке как открытую систему. Это дает возможность использования ее любому заинтересованному производителю автомобилей. Платформа стандартизирована для применения в автомобильной отрасли, что сократит степень удорожания автомобиля с ее использованием особенного для моделей массового выпуска. Дифференциация систем, примененных в разных моделях, обеспечивается программным обеспечением, предлагаемой функциональностью, пользовательским интерфейсом, специфическими требованиями к дизайну салона автомобиля.

Новая платформа известная по названию проекта как Базовая Телематическая Система (БТС), позволит устранить проводную систему "свободные руки" (handsfree), необходимую для пользования мобильной связью в автомобиле. Данные СИМ карты мобильного телефона конкретного пассажира становятся доступными базовому телематическому блоку посредством Bluetooth, и все телефонные вызовы автоматически переключаются в БТС. SMS сообщения, телефонные номера или имя абонента транслируемого через БТС высвечиваются на приборном дисплее. Водитель может вводить необходимый телефонный номер голосом или с помощью пульта размещенного на рулевом колесе. Среди других потенциальных приложений можно назвать диагностику неисправностей внутри автомобиля, с последующей ретрансляцией информации о неисправности посредством GSM/GPRS мобильной связи в ближайшую ремонтную мастерскую и/или аварийные службы.

БТС базируется на Infineon's TriCore 32-битной архитектуре, которая специально разработана для автомобильных приложений. В состав БТС входит инфинеоновские SingleStone Bluetooth модуль, GPS чипсет для навигации и GSM/GPRS чипсеты для мобильной связи и Интернет доступа. Фольксваген разработал архитектуру программного обеспечения и полный программный пакет, отличающийся модульной структурой с точки зрения разработки и многократности применения. Базовым принципом программного обеспечения является использование стандартных интерфейсов и отказ от специфических программных продуктов производителей. Фольксваген интегрировал платформу в автомобиль в соответствии со своими требованиями к дизайну, электрическому, механическому оборудованию. Фольксваген планирует испытать базовую телематическую систему в конце 2004 года.

Масштабируемая телефонно/телематическая система, разработанная Инфинеоном и Фольксвагеном предлагается к использованию заинтересованными производителями автомобилей.