08.09.2010
Новое семейство MOSFET производства Infineon с рекордно низким значением сопротивления канала во включенном состоянии - серия OptiMOS™-T2 40В

Современные автомобильные приложения требуют новых уровней мощности, экологической безопасности и к.п.д. двигателя. В то же время экологические нормативы ограничивают электромагнитные потери, особенно при электронном управлении системами автомобиля с использованием широтно-импульсной модуляции.

Для решения этих задач и предназначено новое поколение автомобильных MOSFET транзисторов, высококачественных, надежных, с высокой теплоотдачей. Новое семейство транзисторов OptiMOS™-T2 на 40В изготавливаются в бессвинцовых, прочных корпусах, с лучшим в своем классе сопротивлением во включенном состоянии RDS(on) и самым большим диапазоном токов для автомобильных двигателей и систем.

Основные характеристики OptiMOS™-T2 40В

• Самое низкое сопротивление во включенном состоянии (RDS(on)) при 40В (0,98 мОм при 10В управляющего напряжения на затворе)
• Самая высокая допустимая нагрузка по току
• Самые низкие потери при переключении и статические потери при отличной теплоотдаче
• Высококачественные, надежные и прочные корпуса
• Соответствуют требованиям AEC (Automotive Electronics Council), как компоненты для автомобильного применения
• Максимальная рабочая температура + 175°C
• Максимальный ток стока I(d) до 180А (100А) в корпусе D2-PAK (DPAK)
• Оптимизированный полный заряд затвора для минимальной требуемой мощности драйвера

08.09.2010
В раздел "Статьи, обзоры" добавлена брошюра "Аналоговые решения для микросхем программируемой логики фирмы ALTERA".

В брошюре "Analog for Altera FPGAs. Solutions Guide. 2010, Vol.1" представлены микросхемы National Semiconductor, рекомендуемые для построения PoL источников питания микросхем программируемой логики фирмы Altera (для семейств Stratix, Cyclone, Arria и др.), а также для построения устройств ввода аналоговых сигналов и интерфейсных узлов. Брошюра опубликована в марте 2010 года на английском языке.

08.09.2010
На склад поступили интегральные модули питания серии LMZ, рекомендуемые для питания микросхем FPGA фирмы Altera

В настоящее время на складе "ЭФО" есть следующие модули питания серии LMZ:

• LMZ10504TZ-ADJ/NOPB
• LMZ10505TZ-ADJ/NOPB

• LMZ12001TZ-ADJ/NOPB
• LMZ12002TZ-ADJ/NOPB
• LMZ12003TZ-ADJ/NOPB

• LMZ14203TZ-ADJ/NOPB

07.09.2010
Создан чипсет для построения 8-канальной ультразвуковой приемо-передающей системы: LM96511, LM96530, LM96550, LM96570.

03.09.2010
Доступны для заказа новые керамические антенны 0433AT62A0020 производства Johanson для диапазона 433 МГц. Антенны предназначены для поверхностного монтажа на плату и имеют линейную поляризацию.

03.09.2010
Компания Infineon представляет силовые MOSFET транзисторы на 30В с предельно допустимым током 180А и минимальным сопротивлением во включенном состоянии (меньше 1мОм) для автомобильных применений

Компания Infineon анонсировала силовые MOSFET транзисторы на 30В с самым низким в мире сопротивлением во включенном состоянии для автомобильных применений. Новый OptiMOS™-T2 на 30В - N-канальный транзистор с током стока 180А имеет R DS(on) 0,9мОм при напряжении затвор-исток 10В. Транзистор IPB180N03S4L-H0 в корпусе D2PAK-7 рассчитан на потребителя, которому необходимы силовые MOSFET транзисторы в стандартном корпусе, обладающими как высокими номинальными токами, так и низким сопротивлением во включенном состоянии по доступной цене

Новый транзистор изготовлен по trench технологии компании Infineon для силовых MOSFET транзисторов OptiMOS-T2 - идеален для применения в автомобильных сильноточных приводах, электроусилителях руля (EPS) и особенно для старт/стоп режима.

По сравнению с предыдущими, trench-технология второго поколения силовых MOSFET транзисторов, OptiMOS-T2, позволяет уменьшить как сопротивление RDS(on), так и заряд затвора. В результате стало возможным получить минимальный коэффициент качества (Figure of Merit, FoM), который является произведением значений сопротивления RDS(on) и заряда затвора. Помимо этого, при сборке транзисторов в корпус применена улучшенная технология проволочных соединений для больших токов 'Powerbond', направленная на уменьшение 'вклада', вносимого сопротивлением проволочного соединения в RDS(on) MOSFET транзистора и увеличение допустимой нагрузки по току. Это также позволяет повысить надежность за счет того, что проводники меньше нагреваются. Современная технология Powerbond позволяет разместить до 4 пар проводников толщиной 500чм в одном MOSFET транзисторе, таким образом, можно использовать стандартный корпус при номинальном токе 180А

Технология OptiMOS-T2 и корпус рассчитаны на то, чтобы выдерживать температуру 260°C во время пайки оплавлением для уровня MSL1 (Moisture Level 1), при этом покрытие не содержит свинца, что соответствует RoHS. Силовой MOSFET транзистор IPB180N03S4L-H0 полностью отвечает требованиям Automotive Electronics Council (AEC-Q101).

IPB180N03S4L-H0 предназначен для применений с высокими токами (более 500А), где требуется использование большого количества параллельно соединенных MOSFET транзисторов. Так как IPB180N03S4L-H0 рассчитан на работу с номинальным током 180А, это позволяет в ряде приложений исключить параллельное соединение транзисторов.

Доступность

Транзистор IPB180N03S4L-H0 на 30В с током стока 180А и сопротивлением RDS(on) 0,9мОм запущен в массовое производство. Также компания Infineon предлагает модификацию на 30В и током стока 180А (IPB180N03S4L-01) с сопротивлением RDS(on) 1,05мОм при напряжении затвор-исток 10В для критичных по цене приложений. Оба транзистора доступны в стандартном корпусе D 2PAK-7

Подробнее

03.09.2010
На склад поступили новые Bluetooth модули компании Stollmann BlueMod +B20 и BlueMod+C11. Отличительной особенностью модулей является возможность их конфигурации при помощи AT-команд, наличие встроенной антенны и увеличенная дальность действия.