Aсинхронная SRAM
Асинхронная SRAM (Static Random Access Memory, статическое ОЗУ) компании Netsol обеспечивает кратковременное хранение данных с доступом в произвольный момент времени. Микросхема памяти обеспечивает быстрое время доступа, низкий ток потребления, высокую надежность. Асинхронная SRAM имеет организацию слов 16 или 8 бит. Микросхема имеет 16 (8) линий ввода/вывода и выход разрешения вывода. Имеется возможность доступа к младшему или старшему байту с помощью выводов UB, LB. При производстве используется современная технология КМОП 6-TR. Асинхронная SRAM широко используется во встраиваемых приложениях, в которых требуется кратковременное хранение данных.
Быстрая асинхронная SRAM
Характеристики
- Быстрое время доступа 8, 10, 12, 15 нс (макс.).
• Энергопотребление Standby: TTL – 10 мA (макс.);
CMOS – 6 мA (макс.);
рабочее – 35 мA (8 нс, макс.);
30 мA (10 нс, макс.).
- Напряжение питания: 3,3 ±0,3 В; 5,0 ±0,5 В; 1,65-3,6 В.
- Линии ввода/вывода TTL-совместимы.
- Полностью статическая работа, без тактовой частоты или Refresh.
- Трехстабильные выводы.
- Режим контроля байт данных Data Byte Control (x16 Mode)
LB: I/O0 - I/O7; UB: I/O8 - I/O15.
- Стандартные корпуса: 44TSOP2, 48FBGA, 32sTSOP1.
- Соответствует ROHS.
- Коммерческий и индустриальный температурные диапазоны.
Емкость |
Наименование* |
Организация |
VDD, В |
Время доступа, нс |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|
1 Мбит |
S6R1016W1A |
64 K x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6R1016V1A |
64 K x 16 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R1016C1A |
64 K x 16 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2 |
|
S6R1008W1A |
128 K x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
32sTSOP1, 48FBGA |
|
S6R1008V1A |
128 K x 8 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
32sTSOP1, 48FBGA |
|
S6R1008C1A |
128 K x 8 |
4,5-5,5 |
10 |
32sTSOP1 |
|
2 Мбит |
S6R2016W1A |
128 K x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6R2016V1A |
128 K x 16 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R2016C1A |
128 K x 16 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R2008W1A |
256 K x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
S6R2008V1A |
256 K x 8 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
S6R2008C1A |
256 K x 8 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
4 Мбит |
S6R4016W1A |
256 K x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6R4016V1A |
256 K x 16 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R4016C1A |
256 K x 16 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R4008W1A |
512 K x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
S6R4008V1A |
512 K x 8 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
S6R4008C1A |
512 K x 8 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 36FBGA |
|
8 Мбит |
S6R8016W1A |
512 K x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6R8016C1A |
512 K x 16 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R8008W1A |
1 M x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R8008C1A |
1 M x 8 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
16 Мбит |
S6R1616W1M |
1 M x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
48TSOP1, 48FBGA |
S6R1616V1M |
1 M x 16 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
48TSOP1, 48FBGA |
|
S6R1616C1M |
1 M x 16 |
4,5-5,5 |
10 |
48TSOP1, 48FBGA |
|
S6R1608W1M |
2 M x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R1608V1M |
2 M x 8 |
3,0-3,6 |
8, 10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6R1608C1M |
2 M x 8 |
4,5-5,5 |
10 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
32 Мбит |
S6R3216W1M |
2 M x 16 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
48FBGA |
S6R3208W1M |
4 M x 8 |
1,65-3,6 |
8, 10, 12, 15 |
48FBGA |
Малопотребляющая асинхронная SRAM
Характеристики
• Быстрое время доступа: 45, 55, 70 нс (макс.).
• Низкая рассеиваемая мощность:
ток потребления в режиме Standby:
– типовое значение 2 мкA,
– максимальное значение 10 мкА;
ток потребления рабочий:
– типовое значение 15 мA (tAA = 55 нс),
– максимальное значение 20 мA (tAA = 55 нс).
• Напряжение питания: 2,3–3,6 В, 4,5–5,5 В.
• Полностью статическая работа, без тактовой частоты или Refresh.
• Трехстабильные выводы.
• Режим контроля байт данных Data Byte Control (x16 Mode)
LB: : I/O0- I/O7, UB : I/O8- I/O15
• Стандартные корпуса: 32SOP, 32TSOP1, 32sTSOP1, 32TSOP2, 44TSOP2, 48FBGA.
• Соответствует ROHS.
• Коммерческий и индустриальный температурные диапазоны.
• Доступна опция 2CS.
Малопотребляющая асинхронная SRAM
Емкость |
Наименование* |
Организация |
VDD, В |
C/S |
Время доступа, нс |
Корпус |
---|---|---|---|---|---|---|
1 Мбит |
S6L1016W1M |
64 K x 16 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6L1016C1M |
64 K x 16 |
4,5-5,5 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6L1008W2M |
128 K x 8 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
32sTSOP1, 32SOP |
|
S6L1008C2M |
128 K x 8 |
4,5-5,5 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
32sTSOP1, 32SOP |
|
2 Мбит |
S6L2016W1M |
128 K x 16 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6L2016W2M |
128 K x 16 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
48FBGA |
|
S6L2016C1M |
128 K x 16 |
4,5-5,5 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2 |
|
S6L2008W1M |
256 K x 8 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
36FBGA |
|
S6L2008W2M |
256 K x 8 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
32sTSOP1, 32SOP |
|
S6L2008C2M |
256 K x 8 |
4,5-5,5 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
32SOP |
|
4 Мбит |
S6L4016W1M |
256 K x 16 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6L4016W2M |
256 K x 16 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6L4016C1M |
256 K x 16 |
4,5-5,5 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2 |
|
S6L4016C2M |
256 K x 16 |
4,5-5,5 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2 |
|
S6L4008W1M |
512 K x 8 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
32sTSOP1, 32SOP |
|
S6L4008C1M |
512 K x 8 |
4,5-5,5 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
32sTSOP1, 32SOP |
|
8 Мбит |
S6L8016W1M |
512 K x 16 |
2,3-3,6 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
S6L8016W2M |
512 K x 16 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6L8016C1M |
512 K x 16 |
4,5-5,5 |
1 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6L8016C2M |
512 K x 16 |
4,5-5,5 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
48FBGA |
|
S6L8008W2M |
1 M x 8 |
2,3-3,6 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
|
S6L8008C2M |
1 M x 8 |
4,5-5,5 |
2 C/S |
45, 55, 70 |
44TSOP2, 48FBGA |
* Наименование: S6LXXXXXXX-ptss.
p: корпус, U – 44TSOP-II, X – FBGA, L – 32sTSOP-I, T – 32TSOP-I, B – 28, 32SOP, N – 32TSOP-II, Y – 48TSOP-I.
t: рабочий температурный диапазон, I – индустриальный (–40…+85 °C), C – коммерческий (0…+70 °C).
ss: скорость, 45 – 45 нс, 55 – 55 нс, 70 – 70 нс.
Документация
Новости
02 Апреля 2019
На склад "ЭФО" поступили микросхемы памяти компании NetSol22 Марта 2019
ООО "ЭФО" - официальный дистрибьютор Netsol