3G/LTE

GSM/UMTS/LTE

Подробнее на сайте:

www.infineon.com

МШУ компании Infineon для сотовых сетей GSM / UMTS / LTE  изготовлены по технологии B7HF, B9HF SiGe, отличаются низкими шумами и миниатюрностью. Они имеют встроенную ESD защиту 2 кВ HBM и встроенную емкость по выходу в нормальном режиме. У большинства усилителей есть также режим шунтирования (bypass).

Таблица 1 МШУ для для сотовых сетей GSM / UMTS / LTE 

Артикул          Диапазон частот,   МГц           Усиление,  дБ Потери в режиме шунтирования, дБ  Коэффициент шума, дБ  Компрессия IP1dB,  дБм

    Питание,     В / мА

Корпус  Размер, мм Данные
 BGA713N7  728-768; 791-821  15.5 10 1.1 -10...-12 / -6...-7 2.8 / 4.8 TSNP-7-1  1.3x2.0
 BGA735N16  728-746; 791-821; 869-894; 925-960; 1805-1880; 1930-1990; 2110-2170; 2300-2400; 2570-2690 17.1...15.2 6.5....9.2 1.1...1.2 -10...-7 / -8...-2 2.8 / 3.4...4.0 TSNP-16-1 2.3x2.3
 BGA777N7  2300 - 2400; 2570-2690 17.3...14.9 6.3...7 0.9...1.7 -11...-9 / -2 2.8 / 3.4...4.2 TSNP-7-1 (-7-2) 1.3x2.0
 BGA5H1BN6  2300 - 2690 18.1 5.2 0.7 -10 / -2 1.8 / 8.5   TSNP-6-10   0.7x1.1
 BGA5L1BN6  600 - 1000 18.5 2.7 0.7 -20 / +2 1.8 / 8.2  TSNP-6-10   0.7x1.1
 BGA5M1BN6  1805 - 2200 19.3 4.7 0.65 -17 / -2 1.8 / 9.5 TSNP-6-10   0.7x1.1
 BGA7H1BN6  1805 - 2690 12.3 3.1 0.85 -1 / +5 2.8 / 4.3 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA7H1N6  2300 - 2690 12.5 - 0.6 -4 1.8 / 4.7 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA7L1BN6  716 - 960 13.6 2.2 0.75 -1 / +6 2.8 / 4.9 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA7L1N6  716 - 960 13.3 - 0.9 -6 1.8 / 4.4 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA7M1N6  1805 - 2200 13.0 - 0.6 -3 1.8 / 4.4 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA8U1BN6  4000 - 6000 13.7 7.5 1.6 -18 / -4 2.8 / 4.5 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGA8V1BN6  3300 - 3800 15 5.3 1.2 -15 / -3 2.8 / 4.2 TSNP-6-2 0.7x1.1
 BGAU1A10  5150 - 5925 +20.5...-6.5 Ступенчатая регулировка усиления по SPI G0-G4 1.7...6.5 -18...+3 1.8 / 5.0 PG-ATSLP-10  1.1x1.5
 BGAV1A10  3400 - 3800 +18.0...-3.9 Ступенчатая регулировка усиления по SPI G0-G4 1.3...3.9 -13...+3 1.8 / 5.0 PG-ATSLP-10  1.1x1.5

 

Ваш заказ
Наверх